初等考試　103 年初等考試電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 38 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

▶ 線上作答這一卷（40 題，建議 60 分鐘）

1若 Kn = mA / V 2 ， Vtn = 2 V ，則下列電路之 g m 值為：（提示： I D = K n ( VGS − Vtn ) 2 ）
1. (A) 1 mA/V
2. (B) 2 mA/V +12V
3. (C) 3 mA/V
4. (D) 4 mA/V6kΩVo1mA
正解：(A)
2下圖由理想運算放大器所組成之低通濾波器，若欲設計使其高頻截止頻率 f H = 10 kHz ，則電阻 R 約為多少？
1. (A) 31.8 kΩ 30 kΩ10 kΩ
2. (B) 20.7 kΩ
3. (C) 15.9 kΩ
4. (D) 7.07 kΩR VoRLVi 1 nF
正解：(C)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (C) 此為單極點（一階）低通，高頻截止頻率 fH＝1/(2πRC)。電容 C＝1 nF，要求 fH＝10 kHz，代入得 R＝1/(2π×10×10³×1×10⁻⁹)≈1.59×10⁴ Ω＝15.9 kΩ。
❌ (A) 31.8 kΩ 恰為正確值的兩倍，是把公式誤寫成 1/(πRC)（漏掉係數 2）或把 fH 誤取為 5 kHz 的結果。
❌ (B) 20.7 kΩ 代回 1/(2πRC) 只得約 7.7 kHz，不符合 10 kHz 的設計要求。
❌ (D) 7.07 kΩ 約為正確值除以 √2，是把 −3 dB 的 1/√2 倍率錯誤地套用到電阻上。
📚 出處：電子學．主動濾波器／一階低通截止頻率 fH＝1/(2πRC)
3下圖電路中，理想運算放大器之電源電壓為±15 V，請問流過 100 Ω 電阻之電流 IL 為多少？
1. (A) 5 mA
2. (B) 3 mA10 kΩ
3. (C) 2 mA
4. (D) 1 mA2 kΩ-1VVO5 kΩIL1 kΩ 100 Ω
正解：(D)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (D) 設 + 端節點（5 kΩ、1 kΩ、100 Ω 交會處）電壓為 Vx，虛短路使 − 端也是 Vx。反相端：(Vx−(−1))/2k＝(Vo−Vx)/10k → Vo＝6Vx＋5；正相端由 Vo 經 5 kΩ 對「1 kΩ∥100 Ω＝90.9 Ω」分壓：Vx＝Vo×90.9/5090.9≈0.0179Vo。聯立得 Vo＝5.6 V、Vx＝0.1 V，故 IL＝0.1 V/100 Ω＝1 mA。
❌ (A) 5 mA：把電路當成單純反相放大器（Vo＝−(10k/2k)×(−1)＝5 V），又誤把這 5 V 整個加在負載上。
❌ (B) 3 mA：需 Vx＝0.3 V，代回 Vo＝6Vx＋5＝6.8 V，但 6.8 V 經 5 kΩ 分壓只剩約 0.12 V，前後矛盾。
❌ (C) 2 mA：需 Vx＝0.2 V，同樣不滿足兩端的分壓關係。驗算正解：5 kΩ 上電流 (5.6−0.1)/5k＝1.1 mA＝1 kΩ 的 0.1 mA 加 100 Ω 的 1 mA。
📚 出處：電子學．運算放大器／正負雙回授負載電流電路（Howland 型）之虛短路節點分析
4電路圖中運算放大器為理想運算放大器，且電源電壓為±15 V，則電路中 VO 輸出為多少 V？
1. (A) -5 V
2. (B) -3 V 140 k
3. (C) +3 V
4. (D) +5 V 10 kVO1V--150 k1V100 k
正解：(A)
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5假設下圖電路中運算放大器為理想運算放大器，求電壓增益 Av = vO/vI 為多少？
1. (A) -5
2. (B) -10
3. (C) +10
4. (D) +5
正解：(B)
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6關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？
1. (A) PMOS 主要靠電洞導電
2. (B) 增強型 NMOS 之臨界電壓為正值
3. (C) 一般 NMOS 在使用時之源極（Source）電壓較汲極（Drain）電壓高
4. (D) NMOS 之基板（Substrate）為 P 型
正解：(C)
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7某 FET 工作在飽和區（Saturation Region），其 iD-vGS 關係如圖所示，iD 是流入汲極之電流，則此 FET為：
1. (A) 增強型 NMOS ＿＿＿ iD
2. (B) 增強型 PMOS
3. (C) 空乏型 NMOS
4. (D) 空乏型 PMOSVt ＿＿＿ 0 vGS
正解：(C)
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8雙極性電晶體電路中，若電晶體做為開關時，當為 ON 時電晶體一般工作於何種區段？
1. (A) 截止區
2. (B) 線性區
3. (C) 崩潰區
4. (D) 飽和區
正解：(D)
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9一個 1MHz 的石英晶體具有 L=1H, Cs=0.024pF, Cp=8pF 和 r=90Ω，求其品質因數（Q-factor）的近似值：
1. (A) 50000
2. (B) 60000
3. (C) 70000
4. (D) 80000
正解：(C)
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10在一般矽半導體中，電子的移動率（mobility）μn 與電洞的移動率 μp，何者較大？
1. (A) μn＞μp
2. (B) μn＜μp
3. (C) 兩者約略相等
4. (D) 視半導體為 n 型或 p 型而定
正解：(A)
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11下圖為理想二極體的截波電路，當輸入電壓大於 5V 時，其輸出電壓為何？
1. (A) (2·Vi –5)/3
2. (B) (3·Vi –5)/4
3. (C) (2·Vi +5)/3
4. (D) (3·Vi +5)/4
正解：(D)
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12如圖電路，設二極體導通時之 VD = 0.7 V 之定值。此電路之輸出電壓 VO 之值約為何？
1. (A) 0.7 V
2. (B) 1.7 V
3. (C) 2.3 V +5V
4. (D) 4.3 V10 kΩ IDVO+ VD -15 kΩ 17 kΩ
正解：(B)
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13圖示理想運算放大器電路中，R1 = 1 kΩ及 R2 = 2 kΩ，且二極體導通的電壓降為 0.7 V。若輸入電壓vI = 1 V，則電壓 vA 為若干？
1. (A) -2 V
2. (B) -0.7 V
3. (C) 0 VR2
4. (D) 2 VD2R1D1vIvA
正解：(B)
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14圖中為一半波整流電路，當輸入為頻率 60 Hz、峰值 120 V 的電壓，請問其漣波電壓約為多少？
1. (A) 0.1 V
2. (B) 0.2 V
3. (C) 1 V
4. (D) 2 V
正解：(C)
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15如圖所示之電路，變壓器圈數比 N1：N2 = 8：1，輸入電壓 vi 為一交流弦波，峰值為 100 V，頻率為60 Hz，二極體導通之壓降皆為 0.7 V，求二極體之峰值反向電壓為何？
1. (A) 14.3 V
2. (B) 24.3 V
3. (C) 34.3 V
4. (D) 44.3 V +vi N2N1 +N2- vo-
正解：(B)
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16如圖所示之理想運算放大器電路，稽納（Zener）二極體操作在崩潰（breakdown）區，求 i 為何？
1. (A) 1 mA
2. (B) 2 mA +10V
3. (C) 3 mA
4. (D) 4 mA 1 kΩ1 kΩ1 kΩ- Vout+VZ = 3V i
正解：(D)
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17當一矽二極體導通時，跨於二極體兩端的電壓 VD 約有多大？
1. (A) 0 V
2. (B) 0.025 V
3. (C) 0.7 V
4. (D) 1.4 V
正解：(C)
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18圖示理想二極體電路中，若輸入 vI 為弦波，峰值電壓 5 V，下列何者為 vO 的波形？RvI vO3VvO3V
1. (A) t
2. (B) 5VvO5V
3. (C) 3V
4. (D) t
正解：(C)
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19圖中電晶體的β=240，VBE = 0.7 V 及 VT = 25 mV，其電壓增益（Vo / Vi）約為：
1. (A) -700
2. (B) -500 +20V
3. (C) -300
4. (D) -1007.5 kΩ36 kΩ((∞)∞) +Vi Vo-12 kΩ (∞)4.3 kΩVo
正解：(C)
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20下列之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），對於小訊號電壓增益Vi ，下列敘述何者錯誤？ VCC
1. (A) 增加 RE 則增益減低
2. (B) 增加 RC 則增益提高
3. (C) 若 RS= 0，增加 RB 則增益增加 RCRB
4. (D) 增加 RS 則增益減低 VoQ1Vi RSRE
正解：(C)
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21BJT 單級放大器架構中，小訊號特性電壓增益接近於 1 是那種？
1. (A) 共射極
2. (B) 射極隨藕
3. (C) 共基極
4. (D) 具有射極電阻之共射極
正解：(B)
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22當 BJT 操作於主動模式，其 IB、IC、IE 三者之大小關係為：
1. (A) IB＜IC＜IE
2. (B) IB＞IC＞IE
3. (C) IC＞IE＞IB
4. (D) IC＜IB＜IE
正解：(A)
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23P 通道增強型 MOSFET 導通時，閘極必須加：
1. (A) 正電壓
2. (B) 負電壓
3. (C) 正、負電壓均可
4. (D) 零
正解：(B)
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24如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，試求 Vo / Vi=？
1. (A) -5.25 VDD
2. (B) -10.5
3. (C) -2121 kΩ
4. (D) -42VoM1Vi+ 1 kΩVb-
正解：(A)
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25MOSFET 一般可應用於類比及數位兩種電路，當應用於小訊號放大，此時電晶體應工作於下列何區域？
1. (A) 截止區
2. (B) 三極管區（Triode Region）
3. (C) 飽和區
4. (D) 崩潰區
正解：(C)
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26有一 npn 電晶體，其爾利電壓（Early Voltage）VA = 40 V。該電晶體操作於主動模式，且 IC = 4 mA，則電晶體的輸出電阻 ro 約為：
1. (A) 10 kΩ
2. (B) 20 kΩ
3. (C) 160 kΩ
4. (D) 無窮大
正解：(A)
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27如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數 gm、re、rπ 及輸出電阻 ro 均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸入電阻 Rin（不含 Rsig）為：
1. (A) RB
2. (B) RB || rπ +VCC
3. (C) RB || ro
4. (D) RB || RC CC2 RCRsig CC1 VoViRLVsig + RB- IRin CE-VEE
正解：(B)
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28下列之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），且 vo 對 vi 為高通（high pass）頻率響應，下列何種方式無法降低本放大器之低頻 3dB 頻率點( ω L )？
1. (A) 增加 RL
2. (B) 增加 RB VCC
3. (C) 增加 RE
4. (D) 減低 C1RB RCvoC2Q1RLvi C1RE
正解：(D)
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29圖示電路，若 V + = +12 V、V − = -12 V、RE = 3 kΩ，且電晶體之α ≈ 1，EB 接面導通電壓為 0.7 V，EC間飽和電壓降為 0.3 V，欲電晶體在主動區（Active Region）工作，則電阻 RC 之最大值約為若干 kΩ？
1. (A) 2.1
2. (B) 3.3 V+
3. (C) 5.5
4. (D) 8.6 RERCV-−
正解：(B)
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30有一電路如下圖所示，若所有電阻 R1~R5 均相等，且所有放大器 U1 及 U2 均為理想運算放大器。若交流電源 V1，其振幅為 5 V，試問節點 A 的最大電壓 VA 應落在下列何範圍內？
1. (A) 6 V൑VA
2. (B) 4 V൑VA＜6 V+ U1
3. (C) 2 V൑VA＜4 V E -
4. (D) VA＜2 V R1 R2 R3 BDC R4-+ A- V1 +U2 R5
正解：(B)
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31相較於基本單級的共源極 CS 放大器，圖示 CD-CS 串接放大電路的主要優點為：
1. (A) 可提高輸入阻抗VDD
2. (B) 可提高輸出阻抗
3. (C) 可提升電壓增益I2
4. (D) 可增加頻寬 vi voI1
正解：(D)
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32某一單極點放大器在無回授時電壓增益為 100，頻帶寬為 5 kHz。若加了負回授後其電壓增益降為 80，則頻帶寬為多少？
1. (A) 6.25 kHz
2. (B) 5 kHz
3. (C) 4 kHz
4. (D) 3.5 kHz
正解：(A)
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33關於 CE-CE 放大器的特性，下列何者正確？
1. (A) 高頻寬
2. (B) 低輸出阻抗
3. (C) 高電壓增益
4. (D) 低電流增益
正解：(C)
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34若欲使用單一頻率訊號以測放大器之大致頻率響應情形時，一般常使用下列那一種訊號波形？
1. (A) 方波
2. (B) 正弦波
3. (C) 三角波
4. (D) 鋸齒波
正解：(A)
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35如圖為一共射（CE）放大器電路，在一般情況下，此三個外加電容以及電晶體的極間電容中，以何者對放大器的高頻響應影響最大？
1. (A) CC1 VCC
2. (B) CC2 RC
3. (C) CECC2 vo
4. (D) 電晶體的極間電容 Rsig CC1RL+- vsig RBI CE-VEE
正解：(D)
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36一反向放大器其直流增益值為-50V/V，當其頻率為 10 f3dB 時，其增益為何？
1. (A) -1 V/V
2. (B) -5 V/V
3. (C) -10 V/V
4. (D) -50 V/V
正解：(B)
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37下列關於濾波器的描述，何者錯誤？
1. (A) 低通濾波器可通過低頻信號而濾除高頻信號
2. (B) 帶拒濾波器過濾特定頻帶範圍的信號
3. (C) 頻寬與帶通濾波器之中心頻率呈反比關係
4. (D) 帶通濾波器的品質因數（Quality Factor）愈大，選擇性愈低
正解：(D)
38圖示電路為 CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？
1. (A) Q1 與 Q2 構成主動負載+VDD
2. (B) Q3 與 Q4 提供差動放大
3. (C) CC 為旁路電容（Bypass Capacitor） Q8 Q5 Q7
4. (D) Q6 功能為電壓放大Ivi vi voQ1 Q2CCIREFQ3 Q4 Q6-VSS
正解：(D)
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39如圖為一個疊接（Cascode）放大器（偏壓電路未顯示），此疊接放大器相較一個共源（CS）放大器，下列敘述何者錯誤？
1. (A) 約有相同的輸入電阻 +VDD
2. (B) 約有相同的電壓增益 RD
3. (C) 約有相同的頻寬 vO
4. (D) 疊接放大器的兩個電晶體，具有相同的汲極電流VGQ2vIQ1Vo (s)
正解：(C)
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40如圖所示電路為一主動式高通濾波器，則其輸出入電壓之轉移函數為：Vi (s)
1. (A) CRs + 1CRs
2. (B) CRs + 11 C C Vo
3. (C) C 2 R 2 s 2 + 2CRs + 1 ViC 2 R 2s 2
4. (D) 2 2 2C R s + 2CRs + 1 R R
正解：(D)
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