初等考試　105 年 初等考試 電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 39 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1. 1105 年 公 務 人 員 初 等 考 試 試 題等別：初等考試類科：電子工程科目：電子學大意考 試 時 間： 1 小時②本科目共40 題，每題2.5 分，須用2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。③可以使用電子計算器。有關一個理想運算放大器之敘述，下列何者錯誤？

   1. (A) 直流偏壓在主動區
   2. (B) 輸入電流為零
   3. (C) 共模輸出訊號是無限大
   4. (D) 輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源如圖所示電路，一個理想反相運算放大器，若 R1 = 20 kΩ、R2 = 100 kΩ，當 Vi = 0.2 V 時，求流經 R2R2電流為多少？

   正解：(C)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (C) 理想運算放大器的共模增益為零、CMRR 無限大，共模訊號應被完全抑制，共模輸出為零而非無限大；無限大的是差模開路增益。

   ❌ (A) 內部電晶體必須偏壓在主動區才具放大能力，敘述正確。

   ❌ (B) 輸入阻抗無限大，兩輸入端不吸取電流，敘述正確。

   ❌ (D) 理想輸出級等效為輸出阻抗 0 的理想電壓源，帶載也不會掉壓，敘述正確。

   📚 出處：電子學．運算放大器／理想 OPA 特性（Ad→∞、Rin→∞、Ro=0、CMRR→∞）

2. 2輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源如圖所示電路，一個理想反相運算放大器，若 R1 = 20 kΩ、R2 = 100 kΩ，當 Vi = 0.2 V 時，求流經 R2R2電流為多少？

   1. (A) 2 μAR1Vi
   2. (B) 10 μA
   3. (C) 20 μA－Vo＋
   4. (D) 0.2 mA如圖所示 CMOS 反相器電路，使用電壓源為+3.3 V，反相器之輸出負載為一個電容 CL = 1 pF，若輸入訊號 vI 之交換頻率為 1 MHz，則此電路之消耗功率約為多少？

   正解：(B)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (B) 虛短路使反相端為虛接地，R1 上的電流 = Vi/R1 = 0.2 V / 20 kΩ = 10 µA；理想運放輸入電流為零，這股電流全部流入回授電阻 R2，故流經 R2 的電流同樣是 10 µA。

   ❌ (A) 2 µA 是把 0.2 V 除以 100 kΩ，誤用回授電阻計算輸入電流。

   ❌ (C) 20 µA 相當於把 R1 當成 10 kΩ，電阻值代錯。

   ❌ (D) 0.2 mA 是把 0.2 V 除以 1 kΩ，數量級差了 20 倍。

   📚 出處：電子學．反相放大器／虛接地與回授電流

3. 30.2 mA如圖所示 CMOS 反相器電路，使用電壓源為+3.3 V，反相器之輸出負載為一個電容 CL = 1 pF，若輸入訊號 vI 之交換頻率為 1 MHz，則此電路之消耗功率約為多少？

   1. (A) 3 μW+3.3 V
   2. (B) 6 μW
   3. (C) 11 μW
   4. (D) 14 μWvICL = 1 pF場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗，是由於：

   正解：(C)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (C) CMOS 反相器的功率以動態切換為主：P = f·CL·VDD² = 10⁶ × 10⁻¹² × 3.3² ≈ 10.9 µW，約 11 µW（一個週期內充電與放電各消耗一次，合計 CV² 的能量）。

   ❌ (A) 3 µW 約等於 f·CL·VDD，少乘了一次 VDD。

   ❌ (B) 6 µW 是只算 ½CV²f，僅計入充電或放電其中一半的能量。

   ❌ (D) 14 µW 高於實際值，沒有對應的算式。

   📚 出處：數位電子學．CMOS 反相器／動態功率 P = f·CL·VDD²

4. 414 μWvICL = 1 pF場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗，是由於：

   1. (A) 本體效應（Body effect）
   2. (B) 通道長度調變效應（Channel length modulation effect）
   3. (C) 溫度效應（Temperature effect）
   4. (D) 密勒效應（Miller effect）雙極性接面電晶體（BJT）的轉導值（Transconductance）gm 定義為：

   正解：(B)

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5. 5密勒效應（Miller effect）雙極性接面電晶體（BJT）的轉導值（Transconductance）gm 定義為：

   1. (A) ∂iC∂vCE vCE= VCE
   2. (B) ∂iC∂vBE i IC= C
   3. (C) ∂iC∂vCB i IC= C
   4. (D) ∂iB∂vBE i IC= C如圖所示電路，一個理想運算放大器，若運算放大器之飽和電壓為 ± 14 V ，在其飽和前，iL 的最大值約為何？

   正解：(B)

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6. 6∂iB∂vBE i IC= C如圖所示電路，一個理想運算放大器，若運算放大器之飽和電壓為 ± 14 V ，在其飽和前，iL 的最大值約為何？

   

   1. (A) 4.7 mA
   2. (B) 4 mA
   3. (C) 2 mAvI－3 kΩ＋iL
   4. (D) 1.4 mA下列那一個元件的端點數最多？

   正解：(D)

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7. 71.4 mA下列那一個元件的端點數最多？

   1. (A) 電阻7 kΩ
   2. (B) 二極體
   3. (C) 雙極性接面電晶體
   4. (D) MOS 電晶體有關 P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？

   正解：(D)

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8. 8MOS 電晶體有關 P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？

   1. (A) 溫度越高，雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓越大
   2. (B) 溫度越高，稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓越大
   3. (C) 雜質濃度較濃之一側，空乏區較小
   4. (D) 逆向偏壓時，一般不考慮擴散電容（diffusion capacitance）如圖所示電路，若二極體為理想二極體，當 Vi = 11 V 時，Vo 為多少伏特？

   正解：(B)

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9. 9逆向偏壓時，一般不考慮擴散電容（diffusion capacitance）如圖所示電路，若二極體為理想二極體，當 Vi = 11 V 時，Vo 為多少伏特？

   

   1. (A) -11
   2. (B) -920 kΩ＋
   3. (C) -7
   4. (D) -5＋D1Vi5VD25V Vo10 kΩ10 kΩ－－如圖所示電路，稽納二極體（Zener Diode）的 VZ = 6 V，崩潰的最小工作電流 IZK = 2 mA，欲稽納二極體在崩潰區工作，有關電阻 RL 的敘述，下列何項正確？

   正解：(C)

10. 10-5＋D1Vi5VD25V Vo10 kΩ10 kΩ－－如圖所示電路，稽納二極體（Zener Diode）的 VZ = 6 V，崩潰的最小工作電流 IZK = 2 mA，欲稽納二極體在崩潰區工作，有關電阻 RL 的敘述，下列何項正確？

    1. (A) 最大值為 1 kΩ500 Ω
    2. (B) 最小值為 1 kΩ
    3. (C) 最大值為 750 Ω
    4. (D) 最小值為 750 Ω＋10 VVZ－RL如圖所示電路，輸入電壓 vi 為一交流弦波，有效值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降為0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？

    正解：(B)

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11. 11最小值為 750 Ω＋10 VVZ－RL如圖所示電路，輸入電壓 vi 為一交流弦波，有效值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降為0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？

    1. (A) 0.2 V
    2. (B) 2 V＋10：1
    3. (C) 6 V2.2 kΩ 50 μFvi
    4. (D) 10 Vvo－當稽納二極體（Zener Diode）做穩壓電路（regulator）時，操作在何區域？

    正解：(B)

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12. 1210 Vvo－當稽納二極體（Zener Diode）做穩壓電路（regulator）時，操作在何區域？

    1. (A) 崩潰（Breakdown）區
    2. (B) 順向偏壓區
    3. (C) 逆向偏壓區，但尚未崩潰
    4. (D) 原點如圖所示理想運算放大器電路，vI 為輸入電壓、vO 為輸出電壓，本電路為：

    正解：(A)

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13. 13原點如圖所示理想運算放大器電路，vI 為輸入電壓、vO 為輸出電壓，本電路為：

    

    1. (A) 濾波電路
    2. (B) 箝位電路
    3. (C) 截波電路vOCvI－
    4. (D) 倍壓電路二極體接逆向偏壓時，其空乏區將如何變化？

    正解：(B)

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14. 14倍壓電路二極體接逆向偏壓時，其空乏區將如何變化？

    1. (A) 不變
    2. (B) 變寬
    3. (C) 變小
    4. (D) 不一定有關共射極放大器的特性，下列敘述何者正確？

    正解：(B)

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15. 15不一定有關共射極放大器的特性，下列敘述何者正確？

    1. (A) 電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差 180°
    2. (B) 電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差 0°
    3. (C) 電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差 0°
    4. (D) 電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差 180°雙極性接面電晶體（BJT）之共基極電流增益 α = 0.98，試問：其共射極電流增益 β 為多少？

    正解：(D)

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16. 16電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差 180°雙極性接面電晶體（BJT）之共基極電流增益 α = 0.98，試問：其共射極電流增益 β 為多少？

    1. (A) 49＋
    2. (B) 70
    3. (C) 98
    4. (D) 198如圖所示電路，當輸入電壓 vI = 0 時，輸出電壓 vO 為：

    正解：(A)

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17. 17198如圖所示電路，當輸入電壓 vI = 0 時，輸出電壓 vO 為：

    

    1. (A) +VCC+VCC
    2. (B) 0
    3. (C) -0.7 V
    4. (D) -VCCvIvOI－VCCRL如圖所示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體 β = 100，電流 I = 1 mA，則電壓增益 Av 約為若干？

    正解：(C)

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18. 18-VCCvIvOI－VCCRL如圖所示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體 β = 100，電流 I = 1 mA，則電壓增益 Av 約為若干？

    1. (A) -40+VCC
    2. (B) -202 kΩ∞
    3. (C) -10vo∞
    4. (D) -52 kΩ＋－vi500 kΩ175 ΩRin∞I－VEE如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述VDD何者錯誤？

    正解：(D)

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19. 19-52 kΩ＋－vi500 kΩ175 ΩRin∞I－VEE如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述VDD何者錯誤？

    

    1. (A) 增加 Vbias 將提高放大器之電壓增益Ibias
    2. (B) 增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ωL
    3. (C) 增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益C
    4. (D) 增加 RL 可提高放大器之電壓增益VoRLViVbias－在下列 MOS 電晶體放大器組態中，以那一種放大器具有最小的輸入電阻？

    正解：(A)

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20. 20增加 RL 可提高放大器之電壓增益VoRLViVbias－在下列 MOS 電晶體放大器組態中，以那一種放大器具有最小的輸入電阻？

    1. (A) 共源（CS）放大器＋
    2. (B) 共閘（CG）放大器
    3. (C) 共汲（CD）放大器
    4. (D) 疊接（Cascode）放大器如圖所示電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值（gm）為 10 mA/V，電晶體之 β = 10，元件之輸出阻抗（ro）= 10 kΩ，試求輸出阻抗（Ro）約為多少？

    正解：(B)

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21. 21疊接（Cascode）放大器如圖所示電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值（gm）為 10 mA/V，電晶體之 β = 10，元件之輸出阻抗（ro）= 10 kΩ，試求輸出阻抗（Ro）約為多少？

    

    1. (A) 2.5 kΩVCC
    2. (B) 4.5 kΩ
    3. (C) 6.5 kΩ10 kΩ
    4. (D) 8.5 kΩVoQ1ViRo1 kΩ雙極性接面電晶體（BJT）在截止區（Cutoff Region）操作下，其偏壓施加方式為：

    正解：(D)

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22. 228.5 kΩVoQ1ViRo1 kΩ雙極性接面電晶體（BJT）在截止區（Cutoff Region）操作下，其偏壓施加方式為：

    1. (A) BE 間逆偏，CB 間順偏
    2. (B) BE 間順偏，CB 間逆偏
    3. (C) BE 及 CB 間均逆偏
    4. (D) BE 及 CB 間均順偏如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，其增益值 Vo / Vi 為何？VDD

    正解：(C)

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23. 23BE 及 CB 間均順偏如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，其增益值 Vo / Vi 為何？VDD

    1. (A) 10 V/V
    2. (B) 5 V/V10 kΩ
    3. (C) 2.5 V/V
    4. (D) 1.25 V/VVo1 kΩM11 kΩViVb＋－一個長通道 N 增強型 MOSFET，Vth = 1 V，當 VGS = 3 V、VDS = 4.5 V 時，ID = 0.8 mA；當 VGS = 2 V、VDS = 4.5 V 時，ID 為何？

    正解：(C)

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24. 241.25 V/VVo1 kΩM11 kΩViVb＋－一個長通道 N 增強型 MOSFET，Vth = 1 V，當 VGS = 3 V、VDS = 4.5 V 時，ID = 0.8 mA；當 VGS = 2 V、VDS = 4.5 V 時，ID 為何？

    1. (A) 0.8 mA
    2. (B) 0.4 mA
    3. (C) 0.2 mA
    4. (D) 0.1 mA一 N 通道增強型 MOSFET 的 Vt = 2 V，若 VG = 3 V 且 VS = 0 V，又此元件工作於三極區（TriodeRegion），則汲極的電壓 VD 約為：

    正解：(C)

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25. 250.1 mA一 N 通道增強型 MOSFET 的 Vt = 2 V，若 VG = 3 V 且 VS = 0 V，又此元件工作於三極區（TriodeRegion），則汲極的電壓 VD 約為：

    1. (A) 2.5 V
    2. (B) 2.0 V
    3. (C) 1.5 V
    4. (D) 0.5 V若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？

    正解：(D)

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26. 260.5 V若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？

    1. (A) 電流 ID 越大，則轉導值（gm）越小
    2. (B) Cgs＞Cgd
    3. (C) ID 越大，ro 越小
    4. (D) 過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（gm）越大有關 MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？

    正解：(A)

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27. 27過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（gm）越大有關 MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？

    1. (A) 單一增益頻率值與外部電路元件相關
    2. (B) 單一增益頻率值與轉導值成反比
    3. (C) 共源極架構中短路電流增益為 1 時之頻率
    4. (D) 共源極架構中開路電壓增益為 1 時之頻率共源極放大器之低頻 3-dB 頻率，通常以下列何種電容為主要考慮因素？

    正解：(C)

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28. 28共源極架構中開路電壓增益為 1 時之頻率共源極放大器之低頻 3-dB 頻率，通常以下列何種電容為主要考慮因素？

    1. (A) 輸入端耦合電容
    2. (B) 輸出端耦合電容
    3. (C) 源極旁路電容
    4. (D) 電晶體內部電容某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容 C1 = 2 pF，其電壓增益為 VO / VI = -100 V/V。若輸出端至地之等效電容為 C2，試求 C2 / C1 的比值？

    正解：(C)

    本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。

29. 29電晶體內部電容某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容 C1 = 2 pF，其電壓增益為 VO / VI = -100 V/V。若輸出端至地之等效電容為 C2，試求 C2 / C1 的比值？

    1. (A) 接近 0
    2. (B) 接近 1
    3. (C) 接近 50
    4. (D) 接近 100已知 A 及 B 為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為 A1 及 A2，輸入阻抗分別為 Ri1 及 Ri2，輸出阻抗分別為 Ro1 及 Ro2；若將 A 的輸出端連接至 B 的輸入端，則整體的電壓增益為何？

    正解：(B)

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30. 30接近 100已知 A 及 B 為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為 A1 及 A2，輸入阻抗分別為 Ri1 及 Ri2，輸出阻抗分別為 Ro1 及 Ro2；若將 A 的輸出端連接至 B 的輸入端，則整體的電壓增益為何？

    1. (A) A1+A2
    2. (B) A1A2
    3. (C) A1A2Ri 2Ro1 + Ri 2
    4. (D) A1A2Ri1 + Ri 2Ro1 + Ro 2一直流增益 80 dB 的運算放大器具有一單極點頻率響應，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為ft = 10 MHz，被用來設計一直流增益為 100 的非反相放大器，求此非反相放大器的單一增益頻率值？

    正解：(C)

    本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。

31. 31A1A2Ri1 + Ri 2Ro1 + Ro 2一直流增益 80 dB 的運算放大器具有一單極點頻率響應，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為ft = 10 MHz，被用來設計一直流增益為 100 的非反相放大器，求此非反相放大器的單一增益頻率值？

    1. (A) 100 kHz
    2. (B) 1 MHz
    3. (C) 10 MHz
    4. (D) 100 MHz有一差動放大器，其一端輸入 Vi1 = 100 μV，另一端輸入 Vi2 = 50 μV，且此放大器之差模增益 Ad 為 100，而共模拒斥比（CMRR）為 10，則其輸出電壓為何？

    正解：(C)

    本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。

32. 32100 MHz有一差動放大器，其一端輸入 Vi1 = 100 μV，另一端輸入 Vi2 = 50 μV，且此放大器之差模增益 Ad 為 100，而共模拒斥比（CMRR）為 10，則其輸出電壓為何？

    1. (A) 2.75 mV
    2. (B) 3.75 mV
    3. (C) 4.75 mV
    4. (D) 5.75 mV如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V；BJT 操作在主動區（forward active region）且轉導值（gm）為 10 mA/V，β = 40。若忽略元件之輸出阻抗（ro），試求 Vo / Vi 之值？VDD

    正解：(D)

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33. 335.75 mV如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V；BJT 操作在主動區（forward active region）且轉導值（gm）為 10 mA/V，β = 40。若忽略元件之輸出阻抗（ro），試求 Vo / Vi 之值？VDD

    

    1. (A) -400
    2. (B) -100
    3. (C) -8010 kΩM1
    4. (D) -40VoQ1ViVb＋－如圖所示韋恩電橋（Wien-Bridge）振盪器，其振盪角頻率為何？

    正解：(C)

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34. 34-40VoQ1ViVb＋－如圖所示韋恩電橋（Wien-Bridge）振盪器，其振盪角頻率為何？

    1. (A) 1k rad/s
    2. (B) 2k rad/s20 kΩ
    3. (C) 5k rad/s－10 kΩ
    4. (D) 10k rad/sVo＋25 nF 20 kΩ25 nF 20 kΩ如圖所示低通濾波器電路之 3 分貝（或截止）頻率約為多少？

    正解：(B)

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35. 3510k rad/sVo＋25 nF 20 kΩ25 nF 20 kΩ如圖所示低通濾波器電路之 3 分貝（或截止）頻率約為多少？

    1. (A) 3 kHzC1
    2. (B) 5 kHz
    3. (C) 6 kHz
    4. (D) 8 kHzViR1R22 kΩ 2 kΩ0.01 μF＋C2－0.01 μF有關 Butterworth 低通濾波器的敘述，下列何者錯誤？

    正解：(D)

    本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。

36. 368 kHzViR1R22 kΩ 2 kΩ0.01 μF＋C2－0.01 μF有關 Butterworth 低通濾波器的敘述，下列何者錯誤？

    1. (A) 可濾除高頻信號
    2. (B) 濾波器轉移函數只有極點頻率，沒有零點頻率
    3. (C) 當階數愈低，愈接近理想低通濾波器的濾波特性
    4. (D) 當階數愈高，通帶的平坦性愈佳VoR35.86 kΩR410 kΩ如圖所示波形產生電路，U1 為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。對於電容 C 兩端電壓 VC 可能之波形，下列敘述何者正確？R2R1

    正解：(C)

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37. 37當階數愈高，通帶的平坦性愈佳VoR35.86 kΩR410 kΩ如圖所示波形產生電路，U1 為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。對於電容 C 兩端電壓 VC 可能之波形，下列敘述何者正確？R2R1

    1. (A) 接近正弦波
    2. (B) 接近方波
    3. (C) 接近三角波＋－
    4. (D) 接近一直流準位U1VCC＋Vo－R3如圖所示差動對電路，電晶體之 β = 100，ro →∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -V EE = 10 V，取VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，當 vB1 = vB2 = 0 時，iC1 (iC2 )之值約為何？

    正解：(C)

    本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。

38. 38接近一直流準位U1VCC＋Vo－R3如圖所示差動對電路，電晶體之 β = 100，ro →∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -V EE = 10 V，取VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，當 vB1 = vB2 = 0 時，iC1 (iC2 )之值約為何？

    1. (A) 0 mAVCCRC
    2. (B) 0.01 mAvC1
    3. (C) 1 mAiC1 iC2
    4. (D) 2 mA＋－RCvC2vIvB2vB1＋－IVEE如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，忽略其輸出阻抗（ro），該放大器之高頻 3-dB 頻率（ωH）為何？VDD

    正解：(C)

    本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。

39. 392 mA＋－RCvC2vIvB2vB1＋－IVEE如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，忽略其輸出阻抗（ro），該放大器之高頻 3-dB 頻率（ωH）為何？VDD

    

    1. (A) 1 GHz
    2. (B) 20 MHz10 kΩ
    3. (C) 1.59 MHz0.1 pF
    4. (D) 318 kHzVOVbM1＋1 kΩ－1 nFIVi如圖所示放大器（其偏壓未示），若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro，則此放大器的輸出電+VCC阻 RO 約為何？

    正解：(D)

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40. 40318 kHzVOVbM1＋1 kΩ－1 nFIVi如圖所示放大器（其偏壓未示），若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro，則此放大器的輸出電+VCC阻 RO 約為何？

    1. (A) RCRC
    2. (B) RE
    3. (C) ro+ RC
    4. (D) ro+ REvIvORORE

    正解：(A)

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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。