初等考試　114 年初等考試電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 40 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

▶ 線上作答這一卷（40 題，建議 60 分鐘）

1有關金氧半場效電晶體，在線性近似條件下，若元件的電場固定，當元件尺寸縮小 K 倍，則操作電壓應為何？
1. (A) 增大為 K 倍
2. (B) 降低為(1/K)倍
3. (C) 增大為 K2 倍
4. (D) 降低為(1/K)2 倍
正解：(B)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (B) 定電場縮放下，尺寸縮小 K 倍時操作電壓須同比例降為 1/K 倍，才能維持電場強度不變。
❌ (A) 電壓增大會使電場超出材料可承受範圍。
❌ (C) 平方倍的增大更不符定電場的條件。
❌ (D) 降幅過大會使元件無法正常導通。
📚 出處：電子學．半導體元件／元件縮放
2假設矽二極體在 25℃時，其順向跨壓為 0.7 V，則當溫度上升至 65℃時，其順向跨壓約為何？
1. (A) 0.75 V
2. (B) 0.7 V
3. (C) 0.65 V
4. (D) 0.6 V
正解：(D)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (D) 順向跨壓的溫度係數約為每度負二毫伏，升溫四十度約下降零點零八伏，由 0.7 V 降至約 0.6 V 。
❌ (A) 溫度上升時跨壓下降而非上升。
❌ (B) 跨壓會隨溫度改變。
❌ (C) 0.65 V 的降幅僅約一半。
📚 出處：電子學．二極體／溫度效應
3磷化鎵（GaP）發光二極體（LED）發光的導通電流為 20 mA，導通電壓為 2.2 V，電路如圖所示，要使此 LED 發光，電源應至少提供多少功率？40 Ω
1. (A) 44 mW
2. (B) 46 mW
3. (C) 60 mW
4. (D) 90 mW
正解：(C)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (C) 電源電壓＝2.2＋0.02×40＝3 V，功率＝3×0.02＝60 mW 。
❌ (A) 44 mW 只計發光二極體本身的功率。
❌ (B) 46 mW 的電阻壓降計算有誤。
❌ (D) 90 mW 高估了電源電壓。
📚 出處：電子學．二極體／發光二極體電路
4純矽半導體中摻雜下列何種元素組合活化後，其少數載子先後分別為電洞、電子？
1. (A) 硼、磷
2. (B) 銦、磷
3. (C) 砷、鎵
4. (D) 鎵、銻
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
5有關共集極放大電路之敘述，下列何者正確？
1. (A) 信號由集極輸入
2. (B) 輸入電阻高
3. (C) 射極電壓的平均值必為 0 V
4. (D) 又稱為集極隨耦器
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
6一 PNP 雙極性接面電晶體，射-基極電壓 VEB = 0.6 V 時集極電流 IC = 0.01 mA，熱電壓 VT = 0.0259 V。當 VEB = 0.75 V 時 IC 約為何？
1. (A) 0.33 mA
2. (B) 0.63 mA
3. (C) 3.28 mA
4. (D) 6.28 mA
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
7如圖所示 JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，VP = -3 V，IDSS = 18 mA，VGS = -2 V，VDS 為何？VDD = 15 VRD = 1.9 kΩRG = 5 MΩ
1. (A) 1.9 V
2. (B) 9.2 V
3. (C) 11 V
4. (D) 15 V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
8空乏型 MOSFET 不適合用於下列何者？
1. (A) 線性放大器
2. (B) 壓控電感
3. (C) 壓控電阻
4. (D) 壓控電容
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
9有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？
1. (A) 輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似
2. (B) 輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似
3. (C) 輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似
4. (D) 輸入特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似、輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
10如圖所示電路，運算放大器開路電壓增益 A 為有限值，互轉阻值（Transresistance）Rm = vo /ii 為何？ii RfiiAvivo
1. (A) Rf /(1+A)
2. (B) Rf
3. (C) -Rf
4. (D) -Rf /(1+1/A)
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
11有關負回授結構之運算放大器，下列敘述何者錯誤？
1. (A) 可控制電壓增益，呈現線性放大器的特性
2. (B) 部分輸出回授至反相輸入端
3. (C) 產生振盪輸出
4. (D) 增加頻寬
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
12如圖所示電路，VCC = 7 V，VCE = 7 V，PNP 雙極性接面電晶體工作於何區？VCCRCVCEVBE RE
1. (A) 截止區
2. (B) 飽和區
3. (C) 主動區
4. (D) 歐姆區
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
13當 15 Hz 正弦波電壓輸入半波整流器，則輸出電壓的頻率為下列何者？
1. (A) 7.5 Hz
2. (B) 15 Hz
3. (C) 30 Hz
4. (D) 435 Hz
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
14在全波整流器中，流經負載的直流電流等於流過每一個二極體直流電流的幾倍？
1. (A) 1倍
2. (B) 2倍
3. (C) 0.5 倍
4. (D) 4倍
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
15一個稽納二極體（Zener Diode）在 40℃時的最大功率額定值為 500 mW，衰減因數為 4 mW/℃。則稽納二極體在 90℃時消耗的最大功率值為何？
1. (A) 100 mW
2. (B) 150 mW
3. (C) 200 mW
4. (D) 300 mW
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
16圖為全波橋式整流器，如果二極體視為理想。流過 1 kΩ 的電流約為何？T1120 Vrms60 Hz RC10：1 1 kΩ250 μF
1. (A) 12 mA
2. (B) 16.9 mA
3. (C) 24 mA
4. (D) 7.6 mA
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
17如圖所示電路，下列何者為全波整流器？RLRL(a) (b)RLRL(c) (d)
1. (A) c與d
2. (B) a與b
3. (C) a與d
4. (D) c與b
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
18有一整流濾波器的直流濾波電壓為 20 V，漣波電壓的有效值為 0.4 V，則漣波因數為何？
1. (A) 1%
2. (B) 2%
3. (C) 3%
4. (D) 4%
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
19如圖所示電路，假設均為理想二極體，下列敘述何者錯誤？C1 C3VmC2 C4
1. (A) 電容 C1 兩端的電壓為 Vm
2. (B) 電容 C2 兩端的電壓為 2 Vm
3. (C) 電容 C3 兩端的電壓為 3 Vm
4. (D) 電容 C4 兩端的電壓為 2 Vm
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
20下圖為何種電路？DVoV1120 Vrms R
1. (A) 並聯二極體截波
2. (B) 串聯二極體截波
3. (C) 上箝位器
4. (D) 下箝位器
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
21如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V，則輸出正、負半週波形之峰值電壓分別為何？R2.2 kΩ＋30 VVin 0V D1 D2 Vout-30V
1. (A) 30 V、-30 V
2. (B) 29.3 V、-29.3 V
3. (C) 0.7 V、-0.7 V
4. (D) 皆為 0 V
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
22如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V 及 RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，輸入正弦波電壓之均方根（root mean square）值為 100 V，輸出波形直流成分的電壓值為何？VP(in)0 Vout RL
1. (A) 142 V
2. (B) 140.7 V
3. (C) 100 V
4. (D) 99.3 V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
23圖示電路，VCC = 10 V，RB1 = RB2 = 100 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 2 kΩ，電晶體電流放大率 β = 100，VBE = 0.7 V，則此電晶體的工作區為何？VCCRB1 ＿＿＿ RCRB2RE
1. (A) 截止區（Cutoff region）
2. (B) 主動區（Active region）
3. (C) 飽和區（Saturation region）
4. (D) 逆向主動區（Reverse Active region）
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
24有關溫度對 BJT 電路之影響，下列敘述何者錯誤？
1. (A) 電流增益 β 值會隨溫度上升而變小，但是與集極電流 IC 無關
2. (B) 基極-射極電壓 VBE 會隨溫度上升而下降
3. (C) 逆向飽和電流 ICBO 會隨溫度上升而增加
4. (D) 集極電流 IC 增加時，會使集極接面溫度上升
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
25有一如圖之 BJT 電路，若 VBE = 0.7 V，VCE = 4 V，β = 99，則 R 應為何？＋16 V5 kΩR＋0.7 V --1 kΩ
1. (A) 1 kΩ
2. (B) 10 kΩ
3. (C) 100 kΩ
4. (D) 165 kΩ
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
26使用一接面場效電晶體設計如圖電路，此電晶體的 IDSS = 9 mA，VGS(TH) = -3 V，其汲極電流為何？12 V1 kΩ750 kΩ250 kΩ 1 kΩ
1. (A) 1 mA
2. (B) 2 mA
3. (C) 3 mA
4. (D) 4 mA
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
27當考慮雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect）時，需在小信號模型中加入下列何種電阻？
1. (A) rπ
2. (B) re
3. (C) ro
4. (D) 1/gm
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
28有一如圖之 BJT 電路，若 CC1 之阻抗可忽略，VEB = 0.7 V，VT = 25 mV，β = 100，則 Rin 約為何？V+ = +10 VRE = 10 kΩCC1viCC2Rin voRC = 5 kΩV- = -10 V
1. (A) 0Ω
2. (B) 26.8 Ω
3. (C) 10 kΩ
4. (D) 無窮大阻抗
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
29圖中放大器電路中電晶體的 β = 99、VA = 100 V，熱電壓 VT = 0.025 V，放大器的輸入電阻 Rin 約為何？ VCC10 kΩ ∞ vo2 kΩ∞ 10 kΩvsig1 mARRininVEE
1. (A) 2 kΩ
2. (B) 2.5 kΩ
3. (C) 12 kΩ
4. (D) 12.5 kΩ
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
30圖中放大器電路中電晶體的 β = 99、VA = 100 V，放大器輸出電阻 Rout 的最接近值為何？VCCRout10 kΩ ∞ vo2 kΩ10 kΩ∞vsig1 mAVEE
1. (A) 2 kΩ
2. (B) 5 kΩ
3. (C) 9 kΩ
4. (D) 10 kΩ
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
31圖中放大器電路中電晶體的 VTH = 1 V，VA = ∞ V，μnCox(W/L) = 2 mA/V2，放大器的電壓增益 vo /vi的最接近值為何？VDD10 kΩ∞ vo10 kΩ∞100 kΩ vivsig 1 mA-VSS
1. (A) 5 V/V
2. (B) 10 V/V
3. (C) 20 V/V
4. (D) 40 V/V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
32圖示為電晶體放大器的小訊號交流等效電路，其中 vi 為輸入訊號、vo 為輸出訊號，則此放大器主要功用為何？vovi
1. (A) 電壓放大用
2. (B) 截波器
3. (C) 緩衝器
4. (D) 濾波器
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
33如圖為一串級放大電路，已知 Q1 和 Q2 之參數 β 均為 120，且 rπ1 = 5.45 kΩ，rπ2 = 0.642 kΩ。電路中的 R1 = 67.3 kΩ，R2 = 12.7 kΩ，R3 = 15 kΩ，R4 = 45 kΩ，RC1 = 10 kΩ，RE1 = 2 kΩ，RE2 = 1.6 kΩ，RL = 250 Ω。此電路之電壓放大率 Vo /Vi 約為何？VCCRC1R1 R3CC2Vi Q1 Q2CC1 CC3VoR2 R4RE1 CE RE2RL
1. (A) -195
2. (B) -95
3. (C) 95
4. (D) 195
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
34下列耦合型態之串級放大器電路，何者最適合 IC 積體電路化？
1. (A) 變壓器耦合
2. (B) RC 耦合
3. (C) 電感耦合
4. (D) 直接耦合
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
35如圖為某變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路，電晶體的參數 β1 = β2 = 99，rπ1 = rπ2 = 2 kΩ，ro1 = ro2 = 50 kΩ。則輸出阻抗 Ro 為何？1：2 6：1 10：1Vi Voib1 ib2rπ1 β1ib1 ro1 rπ2 β2ib2 ro2Ri Ro
1. (A) 32 kΩ
2. (B) 8 kΩ
3. (C) 500 Ω
4. (D) 125 Ω
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
36在變壓器耦合串級放大器中，耦合變壓器的總電感抗會影響放大器的何種頻段的響應？
1. (A) 低中高頻段均不受影響
2. (B) 高頻響應
3. (C) 中頻響應
4. (D) 低頻響應
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
37如圖所示振盪電路，電路振盪頻率 fo 約為何？VCC10 VRC1 RB2 RB1 RC22.2 kΩ 22 kΩ 22 kΩ 1 kΩVO1 C2 C1 VO20.01 μF 0.01 μFQ1 Q2
1. (A) 3.28 kHz
2. (B) 6.56 kHz
3. (C) 32.8 kHz
4. (D) 65.60 kHz
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
38圖示為一加偏壓之非反相施密特觸發器，電路中 OPA 之輸出飽和電壓為 ± 15 V，則其下臨界電壓（voltage of lower threshold）VTL 為何？50 kΩ 150 kΩVS+VCCVOVR = +2 V-VCC
1. (A) -23/3 V
2. (B) -7/3 V
3. (C) 7/3 V
4. (D) 23/3 V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
39下列何者不是構成正弦波振盪電路的要件？
1. (A) 使用負回授電路結構
2. (B) 維持振盪訊號的相位不變
3. (C) 維持振盪訊號的振幅不變
4. (D) 只在所要振盪的頻率上滿足巴克豪森（Barkhausen）準則
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
40如圖為施密特-方波產生器示意圖，影響高低準位 VTH 和 VTL 的主要元件為何？R1 R2+VCCV+ Vo-VCCRC
1. (A) R和C
2. (B) R1 和 R2
3. (C) R1 和 C
4. (D) R1、R2 和 C
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。

▶ 線上作答這一卷

初等考試電子學大意其他年度

題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。

初等考試 114 年 初等考試 電子學大意 考古題與詳解

初等考試 電子學大意 其他年度

初等考試　114 年初等考試電子學大意　考古題與詳解

初等考試電子學大意其他年度