初等考試　110 年初等考試電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 39 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

▶ 線上作答這一卷（40 題，建議 60 分鐘）

1圖示為某 Vt = 1 V 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓 VD 之敘述，何者正確？
1. (A) VD 之最大值為 1 V VDD
2. (B) VD 之最小值為 1 V
3. (C) VD 之最大值為 2 VRD
4. (D) VD 之最小值為 2 V V D3V VGS
正解：(D)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (D) 源極接地，故 VD＝VDS。NMOS 要留在飽和區的條件是 VDS ≥ VGS − Vt＝3 − 1＝2 V，所以 VD 最低只能降到 2 V，再低就進入三極管（線性）區。
❌ (A) VD 的上限是 VDD（汲極電流趨近 0 時 RD 不壓降），不是 1 V。
❌ (B) 1 V 是臨界電壓 Vt，不是 VDS 的下限；飽和條件看的是 VGS − Vt 而非 Vt。
❌ (C) 2 V 是飽和區的下限而非上限；VD 比 2 V 高時電晶體仍在飽和區。
📚 出處：電子學．MOSFET 工作區判別／飽和區條件 VDS ≥ VGS − Vt
2如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求 vo/vid：
1. (A) -1
2. (B) -k
3. (C) -(1+k) kR
4. (D) -(1+1/k) R －vid + ＋ vo－RkR
正解：(B)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (B) 理想 OP AMP 反相端為虛接地，輸入電流 vid/R 全部流入回授電阻 kR，故 vo＝−(kR/R)·vid，vo/vid＝−k。
❌ (A) −1 只是 k＝1（兩電阻相等）的特例。
❌ (C) −(1＋k) 取自非反相組態 1＋Rf/R1 的形式，且非反相增益為正，不適用本反相電路。
❌ (D) −(1＋1/k) 把回授與輸入電阻的比值顛倒後又套非反相公式，兩處都錯。
📚 出處：電子學．運算放大器／反相放大器增益 Av＝−Rf/R1
3如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出電壓的影響，試求電路上的電阻 R =？
1. (A) 5 kΩ
2. (B) 10 kΩ
3. (C) 15 kΩ
4. (D) 20 kΩvIvo
正解：(B)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (B) 補償偏壓電流的原則是「非反相端對地電阻＝反相端由直流路徑看出去的等效電阻」。本電路輸入端串了電容 C，直流被擋住，10 kΩ 輸入電阻並未接到直流通路，反相端直流只看得到回授的 10 kΩ，故 R＝10 kΩ。
❌ (A) 5 kΩ 是把兩個 10 kΩ 並聯（10k∥10k）的結果，那是輸入端沒有耦合電容時才成立。
❌ (C) 15 kΩ 無對應的電阻組合，偏壓電流在兩端產生的壓降不相等，無法互相抵消。
❌ (D) 20 kΩ 是兩個 10 kΩ 串聯，直流路徑上並非串聯關係。
📚 出處：電子學．運算放大器非理想特性／輸入偏壓電流補償電阻 R＝反相端直流等效電阻
4已知一正弦波經半波整流後之電壓波形 v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特（V）？
1. (A) 6.36 V
2. (B) 7.07 V
3. (C) 3.18 V
4. (D) 5.00 V
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
5有一 p 通道接面場效電晶體的 VGS(off) = + 4 V，IDSS=6 mA，則當 VGS = + 6 V 時，此電晶體的 ID 為多少？
1. (A) 無限大
2. (B) 9 mA
3. (C) 6 mA
4. (D) 0A
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
6在共源極（common source）放大器中，若 FET 的 VGS 未達臨界電壓，則汲極端的電壓為：
1. (A) 0V
2. (B) VDD
3. (C) ∞
4. (D) VGS
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
7如果將電容濾波全波整流器的負載阻抗降低，則漣波電壓會如何變化？
1. (A) 增加
2. (B) 減少
3. (C) 不受影響
4. (D) 頻率會變化
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
8如圖電路中，將訊號源連接在輸入端 V1 和 V2 之間，所看到的輸入電阻為 Rin1；將訊號源同時連接在輸入端 V1 和 V2 上，所看到的輸入電阻為 Rin2，其值分別為何？
1. (A) Rin1=2kΩ、Rin2=2kΩ
2. (B) Rin1=2kΩ、Rin2=4kΩ
3. (C) Rin1=4kΩ、Rin2=2kΩ
4. (D) Rin1=4kΩ、Rin2=4kΩ
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
9令流入運算放大器輸入端之電流為 Ii，兩輸入端間電壓差為 Vi ，則一個理想反相運算放大器之虛接地（virtual ground）特性為：
1. (A) Ii =∞, Vi =∞
2. (B) Ii =0, Vi =∞
3. (C) Ii =∞, Vi =0
4. (D) Ii= 0, Vi =0
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
10如圖所示之電路，假如 Ao =∞，求此電路之閉迴路增益為何？
1. (A) 12
2. (B) 15
3. (C) 19
4. (D) 21 VoutVin
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
11圖示理想運算放大器電路中，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ±12V，輸入電壓 vI 為 -2V，則vO 為若干？
1. (A) -12 V
2. (B) 0V
3. (C) -2 V
4. (D) +12 V
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
12雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗 ro，是下列何種效應所造成？
1. (A) 爾利效應（Early effect）
2. (B) 米勒效應（Miller effect）
3. (C) 溫度效應（temperature effect）
4. (D) 通道長度調變效應（channel length modulation effect）
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
13如圖示截波電路，其中輸入信號 vi(t) 為振幅 12 伏特的弦波且 D 為理想二極體，如果要得到峰對峰電壓值為 16 伏特的輸出信號，則偏壓電源 VR 應為多少？
1. (A) -4 V
2. (B) 0V
3. (C) 4V
4. (D) 8Vvi(t)
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
14運算放大器反相微分器（differentiator）電路中，回授電路元件為：
1. (A) 二極體
2. (B) 電感器
3. (C) 電容器
4. (D) 電阻器
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
15如圖所示之電路，二極體為理想，若 Vin 為一 DC 值為零且振幅為 5V 的正弦波，求最高及最低的 Vout為何？
1. (A) +2V 及 -8V
2. (B) +0V 及 -10V
3. (C) -2V 及 -12V
4. (D) +2V 及 -10V
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
16稽納（Zener）二極體若應用在穩壓電路時，其工作區域為：
1. (A) 順向導通區
2. (B) 飽和區
3. (C) 逆向截止區
4. (D) 逆向崩潰區
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
17下圖電路中輸入信號為弦波 vi(t)=0.5 sin 10t 伏特，二極體 D1 與 D2 之導通電壓皆為 0.7 V，導通電阻為 100 Ω。則電壓 vo (t)最大值為多少伏特？
1. (A) 0.7
2. (B) 0.5
3. (C) 0.2 + －
4. (D) 0
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
18圖中二極體 D1 之導通電壓為 0.7V，導通電阻為 0 Ω，電容 C 兩端之初始電壓為 0V，下列何者正確？
1. (A) vout 之最低電壓為 -0.7 V
2. (B) D1 在穩態時恆導通
3. (C) vout 之最高電壓為 10 V
4. (D) vC 之穩態電壓為 9.3 Vvin vout
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
19如圖所示之電路，vin 為輸入電壓波形，假設二極體為理想，則其輸出電壓 vout 之波形最有可能為下列何者？ v invoutvinvout voutA. B.vout voutC. D.
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
20圖示電路中 vI 為輸入電壓 vo 為輸出電壓，本電路為何種電路？
1. (A) 倍壓電路
2. (B) 濾波電路
3. (C) 截波電路
4. (D) 箝位電路
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
21圖示理想二極體電路中，若輸入 vI 為峰對峰值 10 V 的方波，在穩態時下列有關輸出 vO 的敘述，何項正確？
1. (A) vO 的最小值為 0 V
2. (B) vO 的最小值為 +5 V vI
3. (C) vO 的最大值為 +10 V
4. (D) vO 的最大值為 +20 V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
22如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V，已知電壓 vs(t)=12 sin(120πt) V、R=2 kΩ。試問輸出電壓 vO 的波形為何？D4A. B.C. D.
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
23共源極放大器的頻寬主要由下列那個寄生電容決定？
1. (A) 閘極-源極
2. (B) 源極-基板
3. (C) 閘極-汲極
4. (D) 汲極-源極
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
24如圖所示，射極電阻 RE 常被用於共射極放大器的設計，其主要目的為何？
1. (A) 提高增益
2. (B) 降低雜訊
3. (C) 改變相位
4. (D) 穩定偏壓
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
25若 PNP 型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區 IB = 0.05mA，IE = 5mA，則電流增益為：
1. (A) α= 0.9
2. (B) α= 0.95
3. (C) β= 95
4. (D) β= 99
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
26電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為 VCC=10 V 及 VBB=1.6 V，R1=1.5 kΩ、R2=50 kΩ，該放大電路的輸入直流電流 IBQ 約為多少？
1. (A) 0.02 mA
2. (B) 0.06 mA
3. (C) 0.08 mA
4. (D) 0.1 mA
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
27藉由分壓偏壓的電晶體放大電路中（β=49），流進基極端的電流為 I = 0.025 mA 時測得輸出交流弦波信號振幅為 0.5 V，則輸入信號的振幅約為多少？其中熱電壓近似為 25 mV。
1. (A) 2 mV
2. (B) 2.5 mV
3. (C) 4 mV
4. (D) 5 mV
正解：(D)
28如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為 0.6 V，β 及 R1、R2 均變成原來的 1.5 倍，電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放大器工作在不失真放大範圍。
1. (A) 0.4 V
2. (B) 0.6 V
3. (C) 0.9 V
4. (D) 1.35 V
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
29若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值 β =50，爾利電壓（Early voltage, VA）= 10 V，gm = 10 mA/V，熱電壓（thermal voltage）= 25 mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？
1. (A) rπ＜1/gm
2. (B) ro ＞rπ B C
3. (C) ro 與操作電流成正比 rπ Ｖπ gmＶπ ro
4. (D) gm 與操作電流成反比E
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
30圖示電晶體在主動區工作，電晶體的 β＝99，VBE＝0.7 V，則電晶體的集極電壓 VC 約為：
1. (A) 8V
2. (B) 6V
3. (C) 4V 1.2kΩ
4. (D) 2V
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
31在雙極接面電晶體的共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）三種組態中，何者之電流增益小於 1？
1. (A) CE
2. (B) CB
3. (C) CC
4. (D) CE 及 CC
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
32。若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro→∞，如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）則此放大器的電壓增益為何？
1. (A) -gm(RD+RS)
2. (B) -gmRD/(1+ gmRS) vO
3. (C) -RD/RS vI
4. (D) -gmRD
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
33如圖所示為以電阻 R=5 kΩ、Rf =7.5 kΩ 及電感 L1 =2 mH、L2 所構成的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，當等幅振盪啟動時，決定其振盪頻率 ω 約為多少 rad/s？
1. (A) 3.5M rad/s
2. (B) 1M rad/s
3. (C) 700k rad/s
4. (D) 500k rad/s
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
34直接耦合串級放大電路於未耦合前第 1 級放大電路的集極偏壓電流為 1 毫安培（1 mA），如圖決定耦合後第 2 級放大電路的電壓增益大小（vo/vi2 的大小）？其中 Q2 之 β2=99 及 VBE,on=0.8 V，熱電壓VT =25 mV。
1. (A) 50
2. (B) 100
3. (C) 150 Q2Q1
4. (D) 250vi2
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
35如圖為一方波振盪器。若 OP AMP 輸出的上下限為±10 V。R2 = R3、R1C1= 10 ms。求方波的週期？
1. (A) 10 ms R1
2. (B) 11 ms
3. (C) 20 ms －Ｖo
4. (D) 22 ms + C1R2R3
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
36有 N 級放大器，其中每一級的增益 AoN 和頻寬 ωHN 都完全相同，若該Ｎ級放大器串接在一起且Ｎ為有限值；試問其總頻寬 ωH 相較於單一級放大器的頻寬 ωHN，下列敘述何者正確？
1. (A) ωH ＝ ωHN
2. (B) ωH ＞ ωHN
3. (C) ωH ＜ ωHN
4. (D) ωH ＝ (ωHN )N
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
37如圖雙穩態電路，其 R1 = 10 kΩ 且 R2 = 16 kΩ，若在 t = 0 時輸出電壓 Vo 飽和在-13 V；當在 t > 0 時，輸入電壓 vI < -5V，輸出電壓 Vo 會在什麼狀態？
1. (A) 0V
2. (B) -13 Vv+
3. (C) +13 V
4. (D) ±13 V 變化
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
38圖為一個三級環式振盪器電路，若每一級之小訊號低頻增益 A = 4，MOSFET 之轉導 gm = 66.67 μA/V，電容 C = 4.59 nF，則電路之振盪頻率約為多少？
1. (A) 1 kHz
2. (B) 2 kHz
3. (C) 3 kHz
4. (D) 4 kHz
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
39如圖所示放大器，外接電容為 CC1、CC2 和 CS，MOSFET 的寄生電容約為 Cgs 和 Cgd。有關此放大器電路的低頻響應，下列敘述何者正確？
1. (A) 主要是受外接電容的影響
2. (B) 主要是受 MOSFET 寄生電容的影響
3. (C) 受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度均相同
4. (D) 主要受其他電容影響，但受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度不大↓
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
40在 BJT 電晶體的放大器中，若訊號的擺幅很小，則電晶體的爾利效應（Early effect）可以等效為下列何者？
1. (A) 電壓源
2. (B) 電流源
3. (C) 電阻
4. (D) 電容
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。