初等考試　113 年初等考試電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 39 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1有關積體電路 28 奈米半導體製程技術，這裡所指的 28 奈米製程，為下列何種尺寸？
1. (A) 電晶體的閘極長度
2. (B) 電容器的絕緣層厚度
3. (C) 電路的金屬線寬度
4. (D) 金屬間的連結栓直徑
正解：(A)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (A) 製程世代所稱的 28 奈米，指的是電晶體閘極通道的最小加工尺寸（閘極長度）。
❌ (B) 閘極氧化層厚度遠小於製程節點所標示的尺寸。
❌ (C) 金屬導線寬度另有金屬層的設計規則，不是製程節點的定義。
❌ (D) 連結栓（via/contact）直徑不是製程世代的代表尺寸。
📚 出處：電子學．半導體製程／製程節點
2下列何種元件在電流－電壓（I-V）特性曲線的切線斜率會出現負值？
1. (A) 稽納二極體
2. (B) 蕭特基二極體
3. (C) 發光二極體
4. (D) 穿隧二極體
正解：(D)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (D) 穿隧二極體因量子穿隧效應，在特定偏壓區間電流隨電壓上升而下降，出現負電阻（負斜率）。
❌ (A) 稽納二極體在崩潰區電流急增，斜率為正且極大。
❌ (B) 蕭特基二極體的順向特性斜率恆為正。
❌ (C) 發光二極體的 I-V 曲線同樣沒有負斜率區。
📚 出處：電子學．二極體／穿隧二極體
3室溫下的 N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為 1015 cm−3，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係為何？
1. (A) 多數載子濃度大得多
2. (B) 大約相等
3. (C) 施體離子濃度大得多
4. (D) 兩者無關
正解：(B)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (B) 室溫下施體幾乎完全游離，依電中性條件多數載子（電子）濃度約等於施體離子的正電荷濃度。
❌ (A) 電子濃度不會明顯超過施體離子濃度，否則違反電中性。
❌ (C) 施體離子濃度也不會明顯大於電子濃度。
❌ (D) 兩者由電中性條件緊密相關，並非無關。
📚 出處：電子學．半導體物理／摻雜與電中性
4下列何種二極體組合其正常工作時皆為逆偏壓？
1. (A) 變容二極體、發光二極體
2. (B) 雷射二極體、稽納二極體
3. (C) 發光二極體、雷射二極體
4. (D) 變容二極體、稽納二極體
正解：(D)
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5雙極性接面電晶體在共射極組態且工作於主動區情況下，對集極電流影響最大的是下列何者？
1. (A) 集-射極電壓（VCE）
2. (B) 基極電流（IB）
3. (C) 電源電壓
4. (D) 連在集極上的電阻
正解：(B)
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6雙極性接面電晶體（BJT）在未接偏壓情況下，其基-射極空乏區厚度為 A，基-集極空乏區厚度為 B，則其大小關係下列何者正確？
1. (A) A>B
2. (B) A=B
3. (C) A<B
4. (D) 不一定
正解：(C)
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7圖示之電路，雙極性電晶體 β=100，基-射極導通電壓 VBE =0.7 V，集-射極電壓 VCE 約為何？VCC =+15 VR1 10 kΩ RC 1 kΩR2 5 kΩ RE 1 kΩ
1. (A) 3.72 V
2. (B) 6.72 V
3. (C) 9.72 V
4. (D) 12.72 V
正解：(B)
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8有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？
1. (A) 射極對基底
2. (B) 汲極對基底
3. (C) 閘極對源極
4. (D) 源極對基底
正解：(C)
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9某一 n 通道 JFET 採自給偏壓，已知閘源極直流電壓 VGS =−5 V 且源極電阻 RS =2 kΩ，則汲極電流 ID大小與方向為何？
1. (A) 2.5 mA、由汲極流向源極
2. (B) 2.5 mA、由源極流向汲極
3. (C) 10 mA、由汲極流向源極
4. (D) 10 mA、由源極流向汲極
正解：(A)
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10一差動放大器的 Ad =100，Acm =0.5，兩個輸入分別是 Va(t)=0.01cos(2π 400t)+0.2cos(2π 60t)，Vb(t)=−0.01cos(2π 400t)+0.2cos(2π 60t)，此差動放大器的輸出 Vo(t)？
1. (A) Vo(t)=2cos(2π 400t)+0.1cos(2π 60t)
2. (B) Vo(t)=cos(2π 400t)+0.2cos(2π 60t)
3. (C) Vo(t)=2cos(2π 400t)+0.2cos(2π 60t)
4. (D) Vo(t)=4cos(2π 400t)+0.1cos(2π 60t)
正解：(A)
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11如圖之運算放大器電路，R1 與 C 串聯。Vi 為直流時，V0 /Vi 為何？R2C R1ViV0
1. (A) −R2 /R1
2. (B) 0
3. (C) 1+R2 /R1
4. (D) −R2 /C
正解：(B)
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12承上題，電容 C 接於電阻 R1 和運算放大器負輸入端之間。Vi 電壓為極高頻時，V0 /Vi 值趨近於下列何者？
1. (A) −R2 /R1
2. (B) 1+R2 /R1
3. (C) −R2 /C
4. (D) 1+R2 /C
正解：(A)
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13如圖所示電路，若兩個二極體的切入電壓均為 0.7 V，當 V1 =9 V 及 V2 =0 V，則 ID1 約為何？0.5 kΩ D1V1ID10.5 kΩ D2V2 VOID210.5 kΩ
1. (A) 0.25 mA
2. (B) 0.5 mA
3. (C) 0.75 mA
4. (D) 1 mA
正解：(C)
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14假設二極體導通電壓為 0.7 V，如圖所示電路，欲使輸出正半波峰值電壓為 7 V，Z1 之稽納（Zener）電壓應為何？R1.0 kΩ Z120 V0 Vout−20 V 15 V
1. (A) 6.3 V
2. (B) 7.7 V
3. (C) 13 V
4. (D) 19.3 V
正解：(A)
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15橋式整流提供一穩定電壓如圖，Vi=250sin(ωt) V，ω 為角頻率，二極體導通電壓為 0.7 V，稽納二極體的崩潰電壓為 6 V，流過 150 Ω 電阻的電流為何？T1+ R～− Vi + C D210:1 150 Ω6V
1. (A) 50 mA
2. (B) 40 mA
3. (C) 83 mA
4. (D) 233 mA
正解：(B)
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16如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V，輸入電壓 Vin 為正弦波，頻率為 60 Hz，峰值電壓為110 V，負載 RL 的平均功率約為何？F 10:1D3 D1輸出VinC RLD2 D4 1000 μF 220 Ω
1. (A) 0.21 W
2. (B) 0.24 W
3. (C) 0.28 W
4. (D) 0.42 W
正解：(A)
17下圖實驗電路中，測量 Vo 端波形時發現漣波因數太大，下列何者可有效降低漣波因數？Vi C VC RL Vo
1. (A) 降低電容 C 值
2. (B) 將二極體反接
3. (C) 降低電阻 RL 值
4. (D) 增加 Vi 的頻率
正解：(D)
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18圖為倍壓器電路，輸入端電壓訊號的頻率為 60 Hz，則輸出端的漣波頻率為何？D1Vo+ C1Vi ～ +500 μF R1−100 Ω120 Vrms60 Hz C2+500 μFD2
1. (A) 120 Hz
2. (B) 60 Hz
3. (C) 180 Hz
4. (D) 90 Hz
正解：(A)
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19如圖所示電路及輸入波形，若二極體的切入電壓為 0.7 V，二極體的峰值順向電流約為何？+4 VR45 Ω−4 V
1. (A) 73 mA
2. (B) 80 mA
3. (C) 83 mA
4. (D) 90 mA
正解：(A)
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20圖為橋式整流電路，輸入信號為 80 Vrms 之正弦波，二極體視為理想，輸出波形之平均值約為何？80 VrmsVo+～−1 kΩ
1. (A) 71.94 V
2. (B) 35.97 V
3. (C) 50.88 V
4. (D) 113.12 V
正解：(A)
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21不影響原訊號的波形，但能改變此訊號直流準位的電路稱為下列何者？
1. (A) 微分器
2. (B) 放大器
3. (C) 限制器
4. (D) 箝位器
正解：(D)
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22圖為二極體箝位器，輸出波形的頻率為何？C− +VoR+ 110 Vrms D1～− 60 Hz0º
1. (A) 60 Hz
2. (B) 120 Hz
3. (C) 30 Hz
4. (D) 180 Hz
正解：(A)
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23如圖所示之電路，若 NPN 電晶體 β=100、VBE =0.7 V，下列敘述何者正確？VEE =−10.7 VRE =500 ΩvivoRB =150 kΩRC =1 kΩ
1. (A) IE =4.8 mA
2. (B) IB =0.2 mA
3. (C) VCE =3.2 V
4. (D) VCE =0.2 V
正解：(C)
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24有一如圖之 BJT 放大器，若 VBE =0.7 V，則有關對其輸入迴路特性之敘述，下列何者錯誤？VCC =10 VRC =2 kΩ ICRB =200 kΩVBB =4.7 V VCEIB VBE
1. (A) 其電晶體的輸入特性（IB-VBE）的直流負載線電流端截點為 IB =20 μA
2. (B) 其電晶體的輸入特性（IB-VBE）的直流負載線電壓端截點為 VBE =4.7 V
3. (C) 其 B-E 迴路之靜態基極電流為 IBQ =20 μA
4. (D) 其 B-E 之靜態電壓為 VBEQ =0.7 V
正解：(A)
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25對於圖中的偏壓電路，RC =20 kΩ、RB =800 kΩ、VCC =10.7 V、VBE =0.7 V、IB =5 μA，其 β 最接近值為何？VCCRCRBVBE
1. (A) 50
2. (B) 60
3. (C) 80
4. (D) 100
正解：(B)
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26如下圖所示之 N 通道增強型 MOSFET 電路，已知 ID =20 mA，則 VGS 約為何？VDD =+15 VRD 1 kΩR1 200 kΩ IDVDVGVSR2 100 kΩRS 0.1 kΩ
1. (A) 3V
2. (B) 2V
3. (C) −2 V
4. (D) −3 V
正解：(A)
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27有關矽空乏型 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？
1. (A) n 通道的空乏型 MOSFET 是使用 p 型基座（substrate）
2. (B) n 通道的空乏型 MOSFET 需另加正值 VGS，才能感應出通道
3. (C) 其通道電流 ID 會隨二氧化矽（SiO2）的厚度減少而增加
4. (D) n 通道的空乏型 MOSFET 之 VGS 的臨界電壓（threshold voltage）Vth 為負值
正解：(B)
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28若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為 β，下列敘述何者正確？
1. (A) β 值大小與溫度無關
2. (B) 相同電路之下，β 較小的電晶體較易飽和
3. (C) β 定義為 IE / IC
4. (D) 工作在飽和區（Saturation Region）的電流放大率小於 β
正解：(D)
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29有關 BJT 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
1. (A) BJT 的工作點是由元件特性曲線與負載線的交點決定
2. (B) BJT 的小信號模型參數與工作點相關
3. (C) 由 BJT 的小信號模型只能求出由 B 極及 C 極看入的阻抗
4. (D) 為了 BJT 的小信號能線性放大，必須滿足 vbe <<VT（thermal voltage）的條件
正解：(C)
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30如圖所示之 RC 耦合串級放大器中，兩個電晶體之 β=49、VBE =0.7 V，VCC =10.7 V、RB1 =RB2 =150 kΩ、RC1 =2 kΩ、RC2 =RE1=RE2 =1 kΩ，試求電路中 IB1 電流值為何？VCCRC1 RC2RB1 RB2 voQ1 Q2vi IB1 IB2RE1 RE2
1. (A) 0.04 mA
2. (B) 0.05 mA
3. (C) 0.067 mA
4. (D) 0.1 mA
正解：(B)
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31如圖，Q1 的 β1 =50，Q2 的 β2 =100，兩個電晶體的 VBE =0.7 V 且 ro 都不計；求（IB1 及 VB2）？VCC = 5 V1 MΩvi C→∞ IB1Q1 β1 = 50IB2Ri 1 MΩ VB2 Q2 β2 = 100C→∞ vo50 μA5 mA
1. (A) （2 μA 及 1.5 V）
2. (B) （2 μA 及 0.8 V）
3. (C) （1 μA 及 1.5 V）
4. (D) （1 μA 及 0.8 V）−1
正解：(B)
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32某 MOS 場效電晶體的電流 ID =500 μA、參數 λ=0.025 V ，則其輸出阻抗 ro 為何？
1. (A) 80 kΩ
2. (B) 50 kΩ
3. (C) 25 kΩ
4. (D) 12.5 kΩ
正解：(A)
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33有關共集極（Common Collector）放大器組態之特性，下列敘述何者正確？
1. (A) 低輸入阻抗
2. (B) 電壓增益高
3. (C) 輸出與輸入電壓相位相反
4. (D) 低輸出阻抗
正解：(D)
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34一 n 通道金氧半場效電晶體的參數為：Cgs =25 fF、Cgd =2 fF、W/L=16、μnCox =200 μA/V2，操作在電流為 100 μA，其單一增益（Unity-gain）頻率 fT 的最接近值為何？
1. (A) 2 GHz
2. (B) 3 GHz
3. (C) 4 GHz
4. (D) 5 GHz
正解：(D)
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35若一直接耦合串級放大器電路，其各諧波失真百分率分別為 D2 =40%、D3 =26%、D4 =15%，其餘諧波失真可忽略不計，則該串級放大器之總諧波失真百分率 DT 約為何？
1. (A) 25%
2. (B) 40%
3. (C) 50%
4. (D) 81%
正解：(C)
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36555 計時器的內部有一個 RS 正反器。下列關於此 RS 正反器的敘述何者錯誤？
1. (A) 此正反器的兩個輸入訊號分別來自於兩個比較器的輸出結果
2. (B) 當其兩個輸入訊號都是低態邏輯時不會改變其現存的輸出結果
3. (C) 當其兩個輸入訊號都是高態邏輯時會反轉其現存的輸出結果
4. (D) 此正反器的輸出結果會影響 555 計時器內部一放電迴路上電晶體的導通與否
正解：(C)
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37當變壓器耦合串級放大器之電路阻抗完全匹配時，下列敘述何者正確？
1. (A) 電壓增益最大
2. (B) 電流增益最大
3. (C) 功率增益最大
4. (D) 功率增益最小
正解：(C)
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38如圖為單穩態多諧振盪器，觸發信號由 Vi 注入。由 Vi 注入在 R3 上的觸發電壓需要多大才能使 IC 轉態而產生脈波？+VCCR1C1+VCCV1 VoVi C2R3 −VCCR2
1. (A) Vcc
2. (B) Vcc/2
3. (C) Vcc R1 /(R1 +R2)
4. (D) Vcc R2 /(R1 +R2)
正解：(D)
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39圖示為一加偏壓之反相施密特觸發器，電路中運算放大器之輸出飽和電壓為 ±12 V，則其上臨界電壓（voltage of upper threshold）VTH 為何？+VCCVSVO−VCCVR =+6 V5 kΩ 10 kΩ
1. (A) 0V
2. (B) 2V
3. (C) 4V
4. (D) 8V
正解：(D)
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40下圖中 RA 為 1/4 W、13 kΩ 的碳膜電阻器，外觀上以色碼「棕橙橙」表示其大小。而 RB 上表示其大小的色碼為「紫綠紅」，並且陶瓷電容器 C 外觀上打印有 102 之字樣。此電路輸出方波的責任週期（Duty cycle）約為何？V+RA 電源重置RB 臨界控制0.01 μFC 觸發輸出放電接地
1. (A) 43.1%
2. (B) 54.2%
3. (C) 65.3%
4. (D) 73.2%
正解：(D)
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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。

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