初等考試 109 年 初等考試 電子學大意 考古題與詳解
本卷共 40 題,其中 38 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料;詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案,並免費試讀前 3 題的詳解;其餘詳解在線上作答時逐題顯示。
1下列有關理想運算放大器的特性,何者正確?
- (A) 輸入阻抗:0
- (B) 開迴路電壓增益:0
- (C) 共模電壓增益:0
- (D) 共模拒斥比 CMRR:0
正解:(C)
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✅ (C) 理想運算放大器對共模訊號完全不放大,共模電壓增益為 0,這正是它能完全抑制共模雜訊的理想特性。
❌ (A) 理想運放的輸入阻抗為無限大,不是 0。
❌ (B) 開迴路電壓增益為無限大,不是 0。
❌ (D) 共模拒斥比 CMRR=|Ad/Acm|,理想時為無限大,不是 0。
📚 出處:電子學—理想運算放大器的特性
2某運算放大器的共模增益 Acm = -0.01,差模增益 Ad = 100,則其 CMRR 為若干 dB?
- (A) -80
- (B) -20
- (C) 20
- (D) 80
正解:(D)
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✅ (D) CMRR=|Ad/Acm|=|100/(−0.01)|=10,000,換算為分貝 20log₁₀(10,000)=80 dB。
❌ (A) −80 dB 把分子分母顛倒,且 CMRR 以倍率取絕對值後為正。
❌ (B) −20 dB 與計算結果不符。
❌ (C) 20 dB 只相當於 10 倍的比值,遠低於 10,000。
📚 出處:電子學—共模拒斥比 CMRR 的定義與分貝換算
3圖示為理想運算放大器電路,若 R1 = 1 kΩ、R2 = 3 kΩ、Ra = 1 kΩ、Rb = 3 kΩ,v1 = 4 V,v2 = -2 V,則輸出電壓 vO 為若干 V?

- (A) 0Rav1 + vO
- (B) 5
- (C) 10 Rb -
- (D) 12 v2 R2R1
正解:(C)
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✅ (C) 運放輸入端不取電流,v1 經 Ra、v2 經 Rb 串在一起分壓到同一個「+」端:v+ = v2 + (v1−v2)×Rb/(Ra+Rb) = −2 + 6×(3/4) = 2.5 V。R2 由輸出回授到「−」端、R1 接地,是非反相組態,增益 1+R2/R1 = 1+3 = 4,故 vO = 2.5×4 = 10 V。
❌ (A) 0 V 要 v+ = 0,但 v1、v2 分壓後為 2.5 V,不為 0。
❌ (B) 5 V 相當於增益只有 2(即 R2 = R1),與 R2 = 3 kΩ、R1 = 1 kΩ 不符。
❌ (D) 12 V 相當於 v+ = 3 V,是把分壓算錯(例如忽略 v2 為負值)才會得到。
📚 出處:電子學—非反相放大器與輸入端電阻分壓(運算放大器基本組態)
4圖示電路中場效電晶體(FET)之 VTH = -0.7 V,下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區(SaturationRegion)?

- (A) VG = 5 V、VD = 4 V +5 V
- (B) VG = 4 V、VD = 4 V
- (C) VG = 3 V、VD = 4 V
- (D) VG = 2 V、VD = 4 V+ VG- VD
正解:(B)
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5圖示為理想運算放大器電路,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ± 10 V,二極體導通時兩端電壓為0.7 V,輸入電壓 vI 為 +1 V,則 vO 為若干 V?

- (A) -10
- (B) 0 vI +
- (C) +1-
- (D) +10DvOR
正解:(C)
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6有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳 VI1、V I2 的電壓波形如下所示,V CC = 5 V,R1 = R2 = 1 kΩ,R3 = R4 = 100 Ω,CL = 5 μF,電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體 Q2 在時間點 T 最可能的工作模式:
- (A) 飽和模式(Saturation mode) VCC
- (B) 線性模式(Linear mode)
- (C) 主動模式(Active mode)
- (D) 截止模式(Cut-off mode)Q2VI1+ R4 R2 Vo-Q1 CLVI2 R1+ R3-5V~4V ~2V 0VVI10 t1 T t2 tVI2 ~2V ~4V 5V0V00 t11 TT t2t2 tt
正解:(C)
7如圖所示為一 CMOS 反相器,電晶體之 μnCox = μpCox;兩電晶體之 W/L 相同;Vtn = |Vtp|。反相器之負載為電容 CL。若輸入的信號 vi 為方波,其高電位為 VDD、低電位為 0,週期為 T。問流過電晶體 QP的平均電流?
- (A) 0VDD
- (B) (μpCox/2)(W/L)(VDD-|Vtp|)2
- (C) VDDCL/(2T)
- (D) VDDCL/T QPvoviQnCL
正解:(D)
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8一個 NPN 雙極性電晶體,若 β = 50 且操作在主動作用區(active region),下列何者正確?
- (A) 集極電流與射極電流的比值為 1.02
- (B) 集極對射極的電壓應為正值
- (C) 電流的方向為由射極流入集極
- (D) 基射極應為反偏
正解:(B)
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9類比積體電路中,使用電流鏡或電流源來代替電阻性負載,下列何者錯誤?
- (A) 為了減少電路占用的面積
- (B) 可降低電源電壓
- (C) 為了提供比電阻性負載更小的等效電阻
- (D) 可提高放大器增益
正解:(C)
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10有一個電壓訊號 v 對時間 t 的函數為 v(t) = 6 sin(2πf1t) + 12 sin(2πf2t) 伏特,f1 = 5 kHz,f2 = 8 kHz。將此電壓訊號加到一個 1 Ω 的電阻之上。問此電阻承受的訊號功率為何?
- (A) 36 W
- (B) 90 W
- (C) 144 W
- (D) 180 W
正解:(B)
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11理想 CMOS 反相器(Inverter)的靜態功率損耗為何?
- (A) 很大
- (B) 中等
- (C) 與邏輯狀態有關
- (D) 零
正解:(D)
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12如圖運算放大器電路,若電壓增益 A 為無限大,試求輸出電壓 vo=?
- (A) - 4 V10 kΩ
- (B) 4V
- (C) - 6 V
- (D) 6V 5 kΩ- voA+2V +-
正解:(D)
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13電容器 C1~C3 配合變壓器 T 及二極體 D1~D3 所構成之倍壓電路如圖,輸入信號 vi(t) = 100 sin(377t) 伏特、N1:N2 =10:1 且變壓器與所有二極體均視為理想時,在電路穩態條件下電容器 C1~C3 所跨電壓VC1~VC3 之敘述何者正確? --VC1 +

- (A) VC1+VC2 = 20 V N1:N2
- (B) VC1+VC3 = 30 VC1 D2 +
- (C) VC2+VC3 = 10 V
- (D) VC1+VC2+VC3 = 40 V D1 C2 VC2-T +C3 VC3D3 -
正解:(D)
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14用於中間抽頭變壓器型及橋式全波整流電路的變壓器,初級/次級線圈匝數比均為 N1:N2 且輸入信號同為 vi(t) = 100 sin(377t) 伏特,變壓器與二極體均為理想,中間抽頭型及橋式全波整流電路中二極體之峰值逆向電壓為 PIV1 與 PIV2、輸出信號有效值電壓為 Vo1(rms) 及 Vo2(rms) 間關聯性何者正確?
- (A) PIV1 = 2PIV2
- (B) Vo1(rms) = Vo2(rms)
- (C) 2Vo1(rms) = Vo2(rms)
- (D) 2PIV1 = PIV2
正解:(C)
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15漣波因素(ripple factor)或漣波百分比(r%)用以評比整流-濾波電路之優劣,已知各種整流濾波電路所提供之相關資訊如輸出信號之有效值電壓 Vo(rms) =
- (A) 平均值電壓 Vo(dc) = B 伏特、漣波電壓有效值 Vr(rms) = C 伏特,那一選項中電路的濾波效果最佳?A. A = 15,B = 12
- (B) B = 12,C = 1
- (C) r = 10
- (D) A = 15,C = 1
正解:(D)
16圖示半波整流電路之輸入信號 vi(t) = 20 sin(754t) 伏特及 N1:N2 = 2:1,變壓器與二極體均視為理想,關於輸出信號 vo(t)之頻率 fo、有效值電壓 Vo(rms)、平均值電壓 Vo(dc)、峰值電壓 Vo(p)等的約略值,下列敘述何者正確?N1:N2
- (A) fo = 754 Hz
- (B) Vo(p) = 20 V + +D
- (C) Vo(rms) = 7.1 V R vo(t)vi(t)
- (D) Vo(dc) = 3.2 V- -
正解:(D)
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17圖示截波電路中,齊納(Zener)二極體 D1 與 D2 於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為VZ1 = 5 V 與 VZ2 = 7 V,當輸入信號 vi(t) =10 sin(ωt) 伏特時,求輸出信號 vo(t)的峰對峰電壓值為多少伏特?
- (A) 2V
- (B) 5V ++ R D1
- (C) 7V
- (D) 12 V vi(t) vo(t)- D2 -
正解:(D)
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18振幅為 8 伏特的三角形週期波信號輸入如圖所示之截波電路(D 為理想二極體),決定輸出信號 vo(t)的平均值電壓為多少伏特?vvii(t)(t)

- (A) 0.5 V +8 + D
- (B) 1V 4V
- (C) -0.5 Vτ 2τt vi(t) vo(t)
- (D) - 1 V R-8 - -
正解:(A)
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19如圖所示之電路,假如二極體之壓降 VD 為 0.7 V,求其輸出電壓 vo 之平均值為何?
- (A) 5.37 V-
- (B) 10.58 V 110:24 VD +
- (C) 23.3 VAC110 Vrms + vo
- (D) 109.3 V60 Hz -
正解:(B)
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20圖中 v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波,經過微分器後,其輸出波形為何?
- (A) 正弦波 v(t)
- (B) 三角波
- (C) 直流
- (D) 方波0 t
正解:(D)
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21下列何者不是二極體電路的主要應用?
- (A) 整流電路
- (B) 截波電路
- (C) 箝位電路
- (D) 放大電路
正解:(D)
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2260 Hz 的交流小訊號經全波整流後,輸出訊號之頻率應為:
- (A) 20 Hz
- (B) 30 Hz
- (C) 60 Hz
- (D) 120 Hz
正解:(D)
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23圖示電路,若 VCC = 10 V,VCE = 3 V,則此電晶體的工作區應為何?
- (A) 主動區(Active Region)VCC = 10 V
- (B) 飽和區(Saturation Region)
- (C) 三極管區(Triode Region) ___ RC
- (D) 截止區(Cutoff)+VCE+ ___ -- VBRE
正解:(A)
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24如圖所示之電路,其中電晶體之爾利(Early)電壓 VA = ∞,求此電路之小信號輸出阻抗值為何?

- (A) R1
- (B) R2 VVCCCC
- (C) R1+ R2 理想
- (D) R2 // (1/gm) R2voR1vi
正解:(B)
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25如圖為 MOSFET 差動式放大器,已知電晶體 Q1 和 Q2 的臨界電壓 VTH、轉導 gm、輸出阻抗 ro 等參數均相同,試求差動增益 Ad = vod /vid 之值?
- (A) gmRD VVDDDD
- (B) -gmRD
- (C) gmRD /2
- (D) -gmRD /2 RD RD- vod +Q1 Q2+vid-I-VDD
正解:(A)
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26如圖所示之電路,其中各電晶體之參數皆為 βnpn = 100,1 kT / q = 1VT = 26 mV 且爾利(Early)電壓 VA = ∞,假定此電路之直流偏壓電流 IC = 4 mA,求此電路之小信號電壓增益值為何?
- (A) 72.8
- (B) 115.8 VCC
- (C) 154.8
- (D) 173.81 kΩvoVbvi
正解:(C)
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27如圖所示之電路,假設電晶體 M 之參數如下:μnCox = 200 μA/V 2,VTH = 0.4 V 且 λ = 0;若跨在電阻RS 上之電壓為 300 mV,欲使 M 維持在飽和區之最小可容許之 W/L 值為何?
- (A) 20
- (B) 40VDD = 1.8 V
- (C) 60
- (D) 80500 ΩMRS 150 Ω
正解:(D)
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28MOSFET 的小訊號模型中,汲極的等效輸出電阻 ro 與下列何者成正比?A.通道寬度 W B.通道長度 L C.過驅電壓(VGS -VTH)D.汲極電流 ID

正解:(B)
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29如圖所示之射極隨耦器之 vo/vi 最接近值為何?假設電流源為理想且 1kT / q = 1VT = 26 mV。
- (A) 0.9 VCC
- (B) 0.8
- (C) 0.7
- (D) 0.6vi∞vo5 mA 45 Ω
正解:(A)
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30如圖所示共射極放大器之 vo/vi 為何?假設電晶體之 gm = 50 mA/V,β = 50。
- (A) -25
- (B) -50 VCC
- (C) -75
- (D) -100 2 kΩvo1 kΩvi
正解:(B)
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31關於 MOSFET 的本質增益 gmro,下列敘述何者正確?
- (A) gmro 與過驅電壓(VGS -VTH)成正比
- (B) gmro 與過驅電壓(VGS -VTH)成反比
- (C) gmro 與偏壓電流 ID 成正比
- (D) gmro 與偏壓電流 ID 成反比
正解:(B)
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32若一個雙極性電晶體(BJT)在主動區操作模式下,射極電流為 5.05 mA,基極電流為 0.05 mA,則其 β 值為:
- (A) 98
- (B) 99
- (C) 100
- (D) 101
正解:(C)
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33如圖之 RC 串級放大電路中,第 2 級放大電路(未顯示)的輸入電阻 Ri2 = 1.5 kΩ,電晶體之 β1 = 81、VBE,on = 0.6 V,求第 1 級放大電路的電壓增益大小(vo1/vi)最接近值為:
- (A) 30
- (B) 60 12 V
- (C) 80
- (D) 10080 kΩ 3 kΩ C2 vo1C1viRi220 kΩ 2 kΩCE
正解:(A)
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34下列有關圖示電路的敘述何者正確?
- (A) 為微分電路
- (B) -3dB 頻率與 R1 成正比 R2
- (C) 直流電壓的增益為-R2/R1
- (D) 為高通濾波器CR1vI(t) -vo(t)+
正解:(C)
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35如圖所示為一文氏電橋振盪器。R2 = 100 kΩ,R1 = 20 kΩ,R = 10 kΩ,C = 0.1 μF。求振盪器的振盪頻率?
- (A) 15.9 Hz R2
- (B) 79.6 Hz
- (C) 159 Hz R1
- (D) 1000 Hz - vo+RCC R
正解:(C)
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36如圖所示為一考畢子振盪器(Colpitts Oscillator)電路,其偏壓電路並沒有畫出來。電晶體 Q 之gm = 10 mA/V,RE = 1 kΩ,L = 20 μH,C1 = 25 pF,C2 = 100 pF。假若電晶體由基極視入的阻抗大到可以忽略。求電路的振盪頻率?
- (A) 3.2 MHz Q
- (B) 8 MHz
- (C) 32 MHzL
- (D) 80 MHz C1C2RE
正解:(B)
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37已知一運算放大器(OPA)的開路直流增益 Ao 為 100 dB 和單一增益頻率 fT 為 10 MHz,若此 OPA 接成非反相輸入(non-inverting input)放大器,其增益 Av 為 60 dB;試問該非反相輸入放大器的頻寬 fH約為多少?
- (A) 100 kHz
- (B) 10 kHz
- (C) 1 kHz
- (D) 100 Hz
正解:(B)
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38有一運算放大器(OPA),已知其直流增益為 100 dB 和單一增益頻率 fT 為 5 MHz,試求其-3 dB 的頻寬 fB 為多少?
- (A) 5 Hz
- (B) 50 Hz
- (C) 5 kHz
- (D) 50 kHz
正解:(B)
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39如圖電路,已知 R = 10 kΩ 和 C = 0.01 μF,輸入為 ± 5 V 對稱方波,試求輸出三角波電壓在 t = 0到 t = t1 的斜率為多少 V/sec?
- (A) +5 × 104 vCR - +
- (B) -5 × 104
- (C) -10 × 104C+ +VCC
- (D) +10 × 10 4 vI -- vovI +-VCC0 t-5t1 t2
正解:(B)
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40如圖雙穩態電路,已知輸出電壓 vo 飽和在 ± 13 V,若設計臨界電壓(threshold voltage)在 ± 5 V,且令 R1 = 10 kΩ,試求 R2 為多少?
- (A) 16 kΩ R1 R2
- (B) 20 kΩ
- (C) 32 kΩ v+ +VCC
- (D) 40 kΩ +vo-+ -VCCvI -
正解:(A)
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