地方特考　102 年 五等 電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 39 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

▶ 線上作答這一卷（40 題，建議 60 分鐘）

1. 1若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω。關於以下電路之敘述，何者正確？5V1kΩA VoutB

   1. (A) 若 A, B 點電壓皆為 5 V，則電阻電流為 0.7 mA
   2. (B) 若 A 點電壓為 5 V，B 點電壓為 4 V，則電阻電流為 0.3 μA
   3. (C) 若 A, B 點為邏輯準位輸入，其布林函數為 Vout = A + B
   4. (D) 若 A 點電壓為 5 V，B 點電壓為 0.3 V，則電阻電流為 4 mA

   正解：(D)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (D) 此為二極體 AND 閘：A＝5 V、B＝0.3 V 時只有接 B 的二極體導通，Vout＝0.3＋0.7＝1 V，電阻電流＝(5－1)/1 kΩ＝4 mA。

   ❌ (A) A、B 皆為 5 V 時二極體均不導通，電流為 0。

   ❌ (B) A＝5 V、B＝4 V 時 Vout＝4.7 V，電流為 0.3 mA 而非 0.3 μA。

   ❌ (C) 輸出取決於較低的輸入，布林函數為 Vout＝A·B（AND）而非 A＋B。

   📚 出處：二極體邏輯閘（DL）

2. 2分析圖中之電路，若運算放大器為理想，且 Vi = 4 V，則輸出電壓 Vo 約為何？

   

   1. (A) 8V 1kΩ
   2. (B) 6V
   3. (C) 4V 6V1kΩ
   4. (D) -6 V+Vo-Vi -6V

   正解：(D)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (D) 1 kΩ 回授電阻是接回「＋」端，屬正回授，本電路是比較器而非放大器。「＋」端由 1 kΩ／1 kΩ 分壓得 V₊＝V。/2。輸入 4 V 加在「−」端，就算 V。＝＋6 V 也只有 V₊＝3 V＜4 V，輸出必被推向負飽和並自我維持，故 V。＝−6 V（負電源值）。

   ❌ (A) 8 V 已超過 ±6 V 電源範圍，輸出不可能大於電源電壓。

   ❌ (B) ＋6 V 是正飽和值，但正飽和時 V₊＝3 V 仍小於 Vi＝4 V，輸出無法停在此狀態。

   ❌ (C) 4 V 是把電路誤當成負回授的電壓隨耦器才會得到的答案，本題回授接在「＋」端。

   📚 出處：運算放大器正回授比較器（Schmitt trigger）的飽和輸出判定

3. 3圖中理想運算放大器電路的輸出電壓 Vo 為何？

   

   1. (A) 3V1 + 2V2
   2. (B) 2V1 + 3V2 8kΩ2kΩ
   3. (C) 6V1 + 4V2 - Vo
   4. (D) 4V1 + 6V2 +V1 3kΩ 2kΩV2 2kΩ

   正解：(B)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (B) 「−」端經 2 kΩ 接地、Rf＝8 kΩ，非反相增益＝1＋8/2＝5；輸出端的 2 kΩ 只是負載，理想運放輸出阻抗為 0，不影響 V。。V₁ 經 3 kΩ、V₂ 經 2 kΩ 在「＋」端分壓（輸入端不取電流）：V₊＝0.4V₁＋0.6V₂，故 V。＝5×(0.4V₁＋0.6V₂)＝2V₁＋3V₂。

   ❌ (A) 3V₁＋2V₂ 把兩支的權重顛倒；電阻較小的 V₂（2 kΩ）權重才應較大。

   ❌ (C) 6V₁＋4V₂ 權重顛倒，且總增益取成 10，非反相增益應為 1＋Rf/R＝5。

   ❌ (D) 4V₁＋6V₂ 的權重比 2:3 正確，但總增益誤取為 10，正確增益是 5。

   📚 出處：運算放大器非反相加法器（輸入分壓與非反相增益的合成）

4. 4下圖數位邏輯電路，輸出 F 為何？

   

   1. (A) F = AB + AB
   2. (B) F = A B + AB AB F
   3. (C) F = AB + A B
   4. (D) F = AB + AB

   正解：(A)

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5. 5下圖的符號為何？

   

   1. (A) 加強型（enhancement）NMOSFET
   2. (B) 空乏型（depletion）NMOSFET
   3. (C) 加強型（enhancement）PMOSFET
   4. (D) 空乏型（depletion）PMOSFET

   正解：(B)

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6. 6一匹配的 CMOS 反相器，kn = 800 μA/V2，輸出總電容為 200 fF，當操作電源為 5 V 時，高準位至低準位的傳播延遲時間（propagation delay）為何？（f = 10-15）

   1. (A) 20 ps
   2. (B) 40 ps
   3. (C) 80 ps
   4. (D) 100 ps

   正解：(C)

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7. 7某 0.25 μm 製程中，MOSFET 元件通道長度均為 L = 0.25 μm，假設電子對電洞的遷移率比 μn/μp = 3，要使 CMOS 反相器具有對稱的轉移特性，通道的寬度比 Wn/Wp 應為多少？

   1. (A) 3
   2. (B) 1/3
   3. (C) 9
   4. (D) 1/9

   正解：(B)

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8. 8下列有關發光二極體（LED）特性的敘述，何者錯誤？

   1. (A) 發光是操作在順向偏壓
   2. (B) 是少數載子彼此在空乏區內復合發出光線
   3. (C) 一般 LED 可由 GaAs, GaAsP, AlGaAsP, GaN 材料所製
   4. (D) 也是新一代的照明裝置

   正解：(B)

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9. 9有關積體電路設計的趨勢，下列敘述何者錯誤？

   1. (A) 使用大電容以消除雜訊
   2. (B) 避免使用大電阻
   3. (C) 降低零件的尺寸大小
   4. (D) 低電壓電源

   正解：(A)

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10. 10在負（n）型半導體材料中，主要的電流傳導載子是：

    1. (A) 離子
    2. (B) 電子
    3. (C) 電洞
    4. (D) 原子

    正解：(B)

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11. 11如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1 為理想運算放大器，假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知 V = 15 V、R1 = 40 kΩ、Rf = 60 kΩ、R2 = 9 kΩ、R3 = 3 kΩ、R4 = 3 kΩ、R5 = 9 kΩ。對於輸出與輸 入電壓之間的轉移特性，下列曲線何者較正確？ +V

    

    1. (A) R2
    2. (B) R3
    3. (C) R4
    4. (D) R5

    正解：(B)

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12. 12圖示整流電路，若交流電 vS 之有效值電壓為 10 Vrms，二極體導通時的壓降 VD 為 0.7 V，則 vO 的電壓平均值約為若干？

    1. (A) 6V+
    2. (B) 8V- vO +
    3. (C) 10 V ac vS
    4. (D) 16 V-

    正解：(B)

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13. 13如圖所示之電路，設二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？

    

    1. (A) C2 的耐壓為 Vm C1 D2+ +
    2. (B) C4 的耐壓為 2 Vmvs=Vmsinωt D1 C2
    3. (C) D4 的峰值反向電壓為 2 Vm
    4. (D) 此電路為半波四倍壓電路- VOD4C3-C4 D3

    正解：(C)

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14. 14如圖的二極體電路，二極體 D1、D2 具有相同之特性。輸出電壓 VO 的值為：

    

    1. (A) -10 V 10V
    2. (B) 0V
    3. (C) 2V 10kΩ
    4. (D) 10 VD1 D2VO15kΩ-10V

    正解：(B)

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15. 15如圖電路中，D1 與 D2 均為理想二極體。當 VI = -5 V 時，VO 的值為：

    

    1. (A) -5 V +10V
    2. (B) -3 V
    3. (C) +2 V 1mA
    4. (D) +10 V VO2kΩD1D2VI

    正解：(B)

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16. 16有一放大器電路如下圖所示，放大器 U1 為理想運算放大器。二極體 D1 順向電壓 VD0 = 0.7 V。若電阻 R1 = 1 kΩ，交流電源 V1 = -5 V，試問節點 B 的電壓 VB 應落在下列何範圍內？

    

    1. (A) VB ≥ -4.0 VU1 D1
    2. (B) -4.0 V > VB ≥ -4.5 V A - C
    3. (C) -4.5 V > VB ≥ -5 V + BR1
    4. (D) -5.0 V > VB +～ V1-

    正解：(C)

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17. 17二極體崩潰時會產生大的逆向電流，其主要原因有：

    1. (A) 霍爾效應（Hall Effect）與通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）
    2. (B) 本體效應（Body Effect）與爾利效應（Early Effect）
    3. (C) 齊納效應（Zener Effect）與雪崩效應（Avalanche Effect）
    4. (D) 米勒效應（Miller Effect）與溫度效應（Temperature Effect）

    正解：(C)

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18. 18如圖所示為一共閘（CG）放大器（偏壓電路未繪示），電晶體之 ro → ∞，gm = 1 mA/V。若 RS = 0.5 kΩ，RD = 3 kΩ，則此放大器之電壓增益 VO/VI 為何？+VDD

    1. (A) 2 V/V
    2. (B) 3 V/VRD=3 kΩ
    3. (C) 6 V/V VOG
    4. (D) ∞VIRS=0.5 kΩ

    正解：(A)

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19. 19在 MOS 電晶體的小訊號模型中，輸出電阻 rO 與汲極電流 ID 的關係為：1 1

    1. (A) rO ∝ ID
    2. (B) rO ∝
    3. (C) rO ∝
    4. (D) rO 與 ID 無關ID ID

    正解：(B)

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20. 20在共射極放大器中，因為那一項等效或實際的電路元件之存在，使得放大器不能被視為理想的單向放大器（Unilateral amplifier）？

    1. (A) 射極電阻
    2. (B) 信號輸入端的耦合電容（Coupling Capacitor）
    3. (C) 集極和射極間的輸出電阻（ro）
    4. (D) 基極和集極間的空乏區電容（CBC）

    正解：(D)

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21. 21在共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）、疊接（Cascade）放大器組態中，具有最大輸出電阻的是：

    1. (A) 共射放大器
    2. (B) 共基放大器
    3. (C) 共集放大器
    4. (D) 疊接放大器

    正解：(D)

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22. 22有一 MOSFET 其臨界電壓為 Vt，爾利（Early）電壓為 VA，當正好工作於三極體區（Triode Region）與飽和區（Saturation Region）之交界時，下列何者正確：

    1. (A) VGS = Vt
    2. (B) VGD = Vt
    3. (C) VDS = VGS + Vt
    4. (D) VDS = VGS - VA

    正解：(B)

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23. 23當一 MOS 電晶體操作於飽和模式（saturation-mode）時，其汲極電流 ID 與電晶體之過驅電壓（overdrivevoltage）Vov 的關係為：

    1. (A) ID 正比於 1/Vov
    2. (B) ID 與 Vov 無關
    3. (C) ID 正比於 Vov
    4. (D) ID 正比於 Vov2

    正解：(D)

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24. 24若 MOSFET 電晶體操作於飽和區，下列敘述何者錯誤？

    1. (A) 相同過驅電壓（overdrive voltage）條件下，其轉導值（transconductance）與寬長比（W/L）成正比
    2. (B) 輸出阻抗與導通電流約成反比
    3. (C) 閘極電容與寬長比（W/L）成正比
    4. (D) 相同電流條件下，其轉導值（transconductance）與過驅電壓（overdrive voltage）成反比

    正解：(C)

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25. 25圖示電路中場效電晶體 FET 之 Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2，若電壓 VD 為 3 V，則電阻 RD 應為若干 kΩ？ +5V

    

    1. (A) 4
    2. (B) 6
    3. (C) 12
    4. (D) 24 VDRD

    正解：(C)

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26. 26圖為單端輸出差動放大器（Differential Amplifier）。其中 RE = 4.3 kΩ，RC1 = RC2 = RE/2，VCC = -VEE = 5 V，電晶體的 β 為 100，放大器的輸入共模（Common Mode）電壓為 0 V。則差動放大器的共模電壓增益（Common Mode Voltage Gain）約為：VCC

    1. (A) 1.0
    2. (B) 0.5RC1 RC2
    3. (C) 0.25VO
    4. (D) 0.125VI+ Q1 Q2 VI-REVEE

    正解：(C)

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27. 27如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），下列何種方式無法提升放大器之單一增益頻寬（Unity Gain Bandwidth）？VDD

    1. (A) 降低 C 值
    2. (B) 降低 R 值R C
    3. (C) 選用寬長比（W/L）較大之電晶體
    4. (D) 增加 Vb VoM1Vi+Vb-

    正解：(B)

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28. 28圖示電路中的電容 CE 有何功用？ +VCC

    1. (A) 提升輸入阻抗 RC
    2. (B) 提升電壓增益 vo
    3. (C) 濾去高頻雜訊 RsigRL
    4. (D) 頻率補償+ vsig RB-CE-VEE

    正解：(B)

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29. 29一個工作在主動模式（active mode）之 BJT，其爾利電壓（Early Voltage）為 25 V，IC = 2.5 mA，則其輸出電阻 rO 之值約為：

    1. (A) 0.1 kΩ
    2. (B) 1 kΩ
    3. (C) 10 kΩ
    4. (D) 100 kΩ

    正解：(C)

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30. 30放大器在-3 dB 頻率時，其功率增益為在中頻段功率增益的多少倍？

    1. (A) 1.414
    2. (B) 0.707
    3. (C) 0.636
    4. (D) 0.5

    正解：(D)

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31. 31下列那一種振盪器之頻率穩定性最高？

    1. (A) RC 相移振盪器
    2. (B) 韋恩電橋振盪器
    3. (C) 考畢子振盪器
    4. (D) 石英晶體振盪器

    正解：(D)

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32. 32分析以下之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm 為 10 mA/V，β = 10，MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗 ro，試求整體轉導增益 Io/Vi？

    1. (A) 100/11 mA/V VDD
    2. (B) 1000/11 mA/V
    3. (C) 11 mA/V10kΩ Io
    4. (D) 100 mA/VVi

    正解：(A)

33. 33如圖所示之電路，假設電晶體操作在飽和區，忽略電晶體輸出電阻， ID = 1 mA， CGS = 50 fF，CGD = 10 fF， C DB = 15 fF，且 V GS -VTH = 200 mV，採用米勒（ Miller）趨近法，求位於 V o 端之VDD極點頻率為何？（f = 10-15）

    1. (A) 2.12 GHz
    2. (B) 4.12 GHz 1kΩ
    3. (C) 6.12 GHz Vo
    4. (D) 8.12 GHz 200ΩVinG

    正解：(C)

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34. 34差動放大器中的共模斥拒比 CMRR（Common-mode rejection ratio）愈大，則表示：

    1. (A) Ad 愈小，Acm 愈大
    2. (B) 該差動放大器愈差
    3. (C) 愈易消除雜訊
    4. (D) 電流源輸出電阻 R0 與 CMRR 值無關

    正解：(C)

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35. 35圖中為一共射級架構的放大器電路，考慮其低頻響應，電容 CE 所造成的極點頻率為何？VCC

    1. (A) 1/CE/rπ
    2. (B) 1/ CE/(rπ+(RB||Rsig)/(β+1))RC CC2
    3. (C) 1/ CE/reRsig CC1 VO
    4. (D) 1/ CE．(re+(RB||Rsig)/(β+1))CE RLVsig + RB-I-VEE

    正解：(D)

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36. 36某 NMOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt = 1 V、μnCox (W/L) = 1 mA/V2、電容 Cgs = 8 fF、Cgd = 2 fF，且 ID = 0.125 mA，則其單一增益頻率（unity-gain frequency）約為若干 rad/s？（f = 10-15）

    1. (A) 1G
    2. (B) 10 G
    3. (C) 50 G
    4. (D) 100 G

    正解：(C)

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37. 37如圖所示為達靈頓（Darlington）電路，若電晶體 Q1 與 Q2 之特性同為 VBE1 = VBE2 = 0.7 V，β1 = β2 = 50，I E2又 VCC = 10 V，R1 = 100 kΩ，R2 = 3 kΩ 則電流增益值 AI = 為何？I B1VCC

    1. (A) 50
    2. (B) 51R1 IB1
    3. (C) 2000 CiQ1 IC2
    4. (D) 2601Vi Q2IE2 CoIE1=IB2VoR2

    正解：(D)

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38. 38一內部補償的運算放大器其直流開路增益為 106，在 1 MHz 時交流開路增益為 60 dB，其 3 dB 頻率為何？

    1. (A) 0.1 kHz
    2. (B) 1 kHz
    3. (C) 10 kHz
    4. (D) 100 kHz

    正解：(B)

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39. 39一 BJT 電晶體 β = 100 操作在 IC = 2 mA，其電容為 Cπ = 8 pF、Cμ = 2 pF，求其 3 dB 頻率 ω。

    1. (A) 2 × 107 rad/s
    2. (B) 4 × 107 rad/s
    3. (C) 8 × 107 rad/s
    4. (D) 1 × 108 rad/s

    正解：(C)

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40. 40某三級串接放大器如下圖所示，若其電壓增益分別為 AV1 = 50，AV2 = 100，AV3 = 200，試求總電壓增益為多少 dB？AV1=50 AV2=100 AV3=200輸入 第一級 第二級 第三級 輸出

    1. (A) 80 dB
    2. (B) 100 dB
    3. (C) 120 dB
    4. (D) 150 dB

    正解：(C)

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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。