地方特考　110 年五等電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 38 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1圖示為理想運算放大器之電路，R1 = R2= R3 = R4 = 1 kΩ、RL = 2 kΩ，試求輸出電壓 vO 為若干 V？
1. (A) -2 R2
2. (B) -1R1
3. (C) 0+1 V
4. (D) 1 vOR3 RLR4－1 V
正解：(A)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (A) 正端：−1 V 經 R4 與 R3 對地分壓，v+＝−1×R3/(R3+R4)＝−0.5 V；虛短路使 v−＝−0.5 V。流過 R1 的電流＝(1−(−0.5))/1 kΩ＝1.5 mA 全部流入 R2，故 vO＝−0.5−1.5 mA×1 kΩ＝−2 V（理想運放輸出，RL 不影響）。
❌ (B) −1 V：把「+」端當成接地，只算了 −R2/R1×(+1 V)，漏掉 R3、R4 造成的 −0.5 V 偏移。
❌ (C) 0 V：誤以為 +1 V 與 −1 V 兩個輸入直接抵消，忽略了兩端電阻網路並不對稱地相消。
❌ (D) 1 V：極性弄反，負回授下輸出應與淨輸入反向。
📚 出處：電子學；運算放大器的虛短路與差動（加減法）電路。
2下列元件特性何者會受到通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）的影響？
1. (A) 雙極性接面電晶體（BJT）的輸出阻抗
2. (B) 雙極性接面電晶體（BJT）的輸入阻抗
3. (C) 金氧半場效電晶體（MOSFET）的輸出阻抗
4. (D) 金氧半場效電晶體（MOSFET）的輸入阻抗
正解：(C)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (C) 通道長度調變使 MOSFET 在飽和區的汲極電流隨 V_DS 微幅上升，等效為有限的輸出阻抗 r_o＝1/(λI_D)。
❌ (A) BJT 輸出阻抗受影響的是基極寬度調變（爾力效應），不是通道長度調變。
❌ (B) BJT 的輸入阻抗由 r_π 決定，與此效應無關。
❌ (D) MOSFET 閘極為絕緣層，輸入阻抗極大且不受此效應影響。
📚 出處：電子學；通道長度調變與爾力效應。
3若雙極性接面電晶體（BJT）在主動區（Active Region）的電流放大率 β= 100，當此電晶體工作在飽和區（Saturation Region）時，下列何者為其可能的電流放大率？
1. (A) 50
2. (B) 100
3. (C) 101
4. (D) 150
正解：(A)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (A) 飽和區時基集接面亦為順偏，基極電流被額外灌入，I_C/I_B 必小於主動區的 β＝100，50 為可能值。
❌ (B) 100 是主動區的值，飽和時達不到。
❌ (C) 101 大於主動區的 β，不可能。
❌ (D) 150 更遠高於主動區的 β。
📚 出處：電子學；BJT 飽和區的強迫 β。
4下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極（Drain）是那一個接點？
1. (A) VD1 接點
2. (B) VD2 接點層層
3. (C) VD 接點層層
4. (D) VE 接點層層層
正解：(A)
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5（本題題幹與選項都在圖上，請見下圖作答）
正解：(A)
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6設計數位電路時，若採用 NPN 或 PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形會使用到 BJT 的那一種偏壓模式？
1. (A) 飽和模式（Saturation mode）
2. (B) 線性模式（Linear mode）
3. (C) 順向主動模式（Forward active mode）
4. (D) 逆向主動模式（Reverse active mode）
正解：(A)
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7有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL= 5 μF，電晶體電流增益 βQ1 =βQ2 = 100。試研判電晶體Q2 的集極電流（collector current）比較高的時間點。
1. (A) 0 與 t1
2. (B) 0與T
3. (C) t1 與 t2
4. (D) T 與 t2~4 V ~2 V~2 V ~4 V
正解：(C)
8欲使下圖的二極體元件順向導通，下列何種方法正確？
1. (A) A 腳應施加比 B 腳更高電壓，使電子由 A 腳流向 B 腳
2. (B) A 腳應施加比 B 腳更低電壓，使電子由 A 腳流向 B 腳
3. (C) A 腳應施加比 B 腳更高電壓，使電流由 A 腳流向 B 腳
4. (D) A 腳應施加比 B 腳更低電壓，使電流由 A 腳流向 B 腳
正解：(C)
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9如圖中 NPN 雙極性電晶體，β=100。假設電晶體基射極的順偏電壓為 0.7 V，飽和時的集射極電壓為0.3 V。問此電路集射極電壓與下列何值最為接近？
1. (A) 0.3 V3V
2. (B) 0.7 V
3. (C) 0.9 V 1 kΩ
4. (D) 3.0 V 10 kΩQ1
正解：(C)
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10如圖所示為一 CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上 1 MΩ 之電阻作為放大器之用。若兩個電晶體 QN 與 QP 特性相同；其小訊號轉導 gm = 1 mA/V，ro = 20 kΩ，則小訊號輸入電阻約為多少？
1. (A) 20 kΩ VDD
2. (B) 24 kΩ
3. (C) 48 kΩ QP
4. (D) 1 MΩC=∞ C=∞vi 1 MΩ voQN
正解：(C)
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11一個 NPN 雙極性電晶體，其作用區之 β=50，若操作在順向飽和區（forward saturation region），下列何者正確？
1. (A) 集極電流與基極電流的比值為 50
2. (B) 集極對射極的電壓應為正值
3. (C) 電流的方向為由射極流入集極
4. (D) 基極對集極的電壓應為反偏
正解：(B)
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12如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體 Q1 和 Q2 的基極電阻 rπ、射極電阻 re、轉導 gm、共基極電流增益 α 和共射極電流增益 β 均相同，試求輸入阻抗 Rid = ？
1. (A) re
2. (B) 2re
3. (C) rπ vc1 vc2
4. (D) 2rπvidRid
正解：(D)
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13如圖所示，兩個由二極體-電容器所構成之倍壓電路（變壓器及二極體均視為理想），變壓器均輸入相同的弦波信號，電容器 C1~C4 所跨電壓 VC1~VC4 間之關聯性在下列選項中何者正確？
1. (A) VC1=VC2
2. (B) VC4=2VC3
3. (C) VC2=VC4
4. (D) VC1=VC4
正解：(D)
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14如圖所示為理想箝位器，其輸入電壓 vi(t)為介於-VA 伏特與 VB 伏特的矩形週期波。若電容器跨壓為 9伏特且輸出信號 vo（t）的最大值為 12 伏特，求 VA+VB 之值？
1. (A) -3 V
2. (B) 3V
3. (C) 6V
4. (D) 9V
正解：(D)
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15將弦波信號輸入由二極體-電阻構成之半波整流電路（二極體視為理想）後，得到輸出信號 vo(t)的峰值電壓 Vo(p) = 12 volt，有關該 vo(t)的有效值電壓 Vo(rms) = A 伏特、平均值電壓 Vo(dc) = B 伏特，及漣波電壓峰對峰值 Vr(p-p) = C 伏特，漣波因素= r %等之敘述，下列何者均正確？
1. (A) A=8.48，B=3.82
2. (B) B=3.82，C=12
3. (C) C=12，r=50
4. (D) r=50，A=6
正解：(B)
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16如圖所示之電路，假如二極體之壓降為 0.7 V，求二極體之逆向峰值電壓（PIV）為何？
1. (A) 10 V
2. (B) 12.74 V
3. (C) 13.44 Vrms out
4. (D) 14.14 V
正解：(C)
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17如圖所示之電路，假設二極體之壓降為 0.7 V，求其輸出電壓 vout 之漣波電壓（ripple voltage）值為何？
1. (A) 11.47 V
2. (B) 5.83 V
3. (C) 3.57 V
4. (D) 0.68 V rmsout
正解：(D)
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18當輸入電壓 VIN = -3.5 V，求此電路的輸出電壓 VOUT 為何？假設二極體的開啟電壓（turn-on voltage）為 0.8 V。
1. (A) -4.2 V
2. (B) -5 V
3. (C) -2 V
4. (D) -1.2 V
正解：(D)
19下列敘述對於如圖所示二極體的整流電路何者正確？
1. (A) VOUT 的漣波（ripple）大小反比於 CL
2. (B) VOUT 的漣波（ripple）大小正比於 RL
3. (C) VOUT 的漣波（ripple）大小正比於 VIN 的頻率
4. (D) VOUT 的漣波（ripple）大小反比於二極體的開啟電壓（turn-on voltage）
正解：(A)
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20如圖所示之箝位電路，已知電壓 VE 為 11V，電阻 R = 1kΩ、RL = 1kΩ，並假設理想稽納二極體的崩潰導通電壓 VZ = 7V，則流過電阻 RL 之電流為何？
1. (A) 0 mA
2. (B) 2.75 mA
3. (C) 5.5 mA
4. (D) 11 mA
正解：(C)
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21如圖所示之理想二極體電路，若 RL = 1 kΩ，V1 = 2 V、V2 = -2 V、V3 = 4 V，則流經電阻的電流為何？
1. (A) 1 mA
2. (B) 2 mA
3. (C) 3 mA
4. (D) 4 mAIL
正解：(D)
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22下圖電路中輸入信號為弦波，vi (t) = 5 sin 10t 伏特，二極體 D1 與 D2 之導通電壓均為 0.7 伏特，導通電阻均為 0 Ω。電壓 vo(t)最大值為多少伏特？
1. (A) 5
2. (B) 2.7
3. (C) 2.3
4. (D) 0
正解：(B)
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23如圖所示之放大器電路，假設此電路之直流偏壓電流為 1 mA，電晶體 M1 與 M2 之參數如下：μn1Cox=μn2Cox= 200 μA/V2 ，VTH1 = VTH2 = 0.4V 且 λ1 =λ2 = 0.1 V-1；求此放大器電路之小信號輸出電阻Rout 之值為何？
1. (A) 619 Ω
2. (B) 719 Ω
3. (C) 819 Ω
4. (D) 919 Ωoutvin
正解：(A)
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24如圖所示之回授偏壓共源極放大器之增益（v o /v i ）為何？假設汲極電流 ID = 1 mA，MOSFET 的VTH＝0.5 V。
1. (A) -3
2. (B) -4
3. (C) -5
4. (D) -6
正解：(B)
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25於 BJT 的小訊號模型中，下列敘述何者錯誤？
1. (A) 轉導(gm)與集極電流成正比
2. (B) 輸出電阻 (ro)與集極電流成正比
3. (C) 輸入電阻 (rπ)與電流增益(β)成正比
4. (D) 輸入電阻 (rπ)與基極電流成反比
正解：(B)
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26如圖所示為一共源極放大器及其偏壓電路，電晶體操作在飽和區，其汲極電流 ID 為何？
1. (A) 15 mA
2. (B) 25 mA
3. (C) 35 mA
4. (D) 45 mA
正解：(B)
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27下列 BJT 放大器的組態中，何者有較大的輸出阻抗？
1. (A) 共射極（common-emitter）組態
2. (B) 共基極（common-base）組態
3. (C) 共集極（common-collector）組態
4. (D) 疊接（cascode）組態
正解：(D)
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28對於一共源極放大器的特性，下列敘述何者錯誤？
1. (A) 電壓增益正比於負載電阻
2. (B) 電壓增益正比於轉導
3. (C) 輸出與輸入訊號同相
4. (D) 輸入阻抗可極大
正解：(C)
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29若雙極性電晶體（BJT）的 ICBO 值為 10 nA，而其 ICEO 為 1 μA，試求此電晶體的 β 值約為：
1. (A) 0.01
2. (B) 10
3. (C) 100
4. (D) 150
正解：(C)
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30如圖所示之電晶體偏壓電路，是屬於何種組態電路？
1. (A) 共源極
2. (B) 共射極
3. (C) 共基極
4. (D) 共集極
正解：(D)
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31如圖所示之電晶體放大電路，基-射極接面於導通時所跨電壓視為定值（0.6 V），求輸出電壓 VO 約為多少？
1. (A) 1.2 V
2. (B) 4.8 V
3. (C) 6V
4. (D) 7.2 V
正解：(C)
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32相較於共射極（CE）放大器，下列有關共集極（CC）放大器的敘述，何者正確？
1. (A) 電壓增益較大
2. (B) 頻率響應較差
3. (C) 輸出阻抗較小
4. (D) 較常應用於差動放大器
正解：(C)
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33下列那一種 β 與 A 的關聯性條件滿足巴克豪森準則（Barkhauson criterion）？其中 β 為回授網路因子，而 A 為基本放大器之電壓增益。
1. (A) 相位 180 度的 β=0.2 及相位 180 度的 A=0.2
2. (B) 相位 0 度的 β=-0.2 及相位 0 度的 A=5
3. (C) 相位 180 度的 β=0.1 及相位-180 度的 A=0.1
4. (D) 相位 0 度的 β=-0.1 及相位 180 度的 A=10
正解：(D)
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34圖示運算放大器組成的電路，vO 為輸出波形，本電路為：
1. (A) 反相放大器
2. (B) 同相放大器 R2
3. (C) 調諧放大器R1
4. (D) 雙穩態電路 vOvI
正解：(D)
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35有關圖示電路之敘述，下列何者正確？
1. (A) 調諧放大電路
2. (B) 低通電路 R2R1
3. (C) 緩衝器電路
4. (D) 無穩態電路vOR
正解：(D)
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36圖示電路，當電路正常工作時，電壓 va 的波形為何？
1. (A) 弦波
2. (B) 方波 R2R1
3. (C) 三角波 va R
4. (D) 階梯波 vb
正解：(B)
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37關於串級放大器的頻率響應，下列何者錯誤？
1. (A) 射極電阻的旁路電容（bypass capacitor）會使放大器增益值在高頻下降
2. (B) 電晶體基射極接面電容對放大器的低頻響應沒有影響
3. (C) 放大器增益值在高頻 3 dB 頻率下，會有約 30%的下降
4. (D) 放大器輸入與輸出信號在低頻 3 dB 頻率下，會有約 45 度的相位差
正解：(A)
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38關於串級放大器的頻率響應，下列何者錯誤？
1. (A) RC 耦合的方式使各級放大器的偏壓互不影響
2. (B) RC 耦合主要是靠電容來阻隔直流的電流
3. (C) RC 耦合的電容也會限制高頻的截止頻率
4. (D) RC 耦合的電容越大其所對應的低頻極點頻率（pole frequency）越低
正解：(C)
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39如圖所示為一用理想的 OP AMP 組成之相移振盪器（phase-shift oscillator）。設 R = 10 kΩ，C=16 nF，K =20，求振盪頻率（選最接近之值）？
1. (A) 573 Hz
2. (B) 994 Hz KR
3. (C) 3610 Hz
4. (D) 6250 Hz －R＋ voC C CR R
正解：(A)
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40已知一運算放大器（OPA）的直流增益為 100 dB 及其-3 dB 的頻寬 fβ，試問在頻率 f = fβ 時，該 OPA的相位角為多少度？
1. (A) +90 度
2. (B) -90 度
3. (C) +45 度
4. (D) -45 度
正解：(D)
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