地方特考　109 年五等電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 39 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1N 型半導體的主要載子為：
1. (A) 電洞
2. (B) 中子
3. (C) 質子
4. (D) 電子
正解：(D)
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✅ (D) N 型半導體摻入五價施體雜質而釋出多餘電子，主要（多數）載子為電子。
❌ (A) 電洞是 N 型半導體中的少數載子。
❌ (B) 中子不帶電，不參與導電。
❌ (C) 質子束縛於原子核內，不作為載子。
📚 出處：半導體物理；N 型與 P 型半導體。
2一個二極體 pn 接面逆偏時，所存在的主要電容是：
1. (A) 空乏電容
2. (B) 擴散電容
3. (C) 耦合電容
4. (D) 旁路電容
正解：(A)
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✅ (A) pn 接面逆偏時空乏區加寬，等效於一個隨偏壓變化的空乏（接面）電容。
❌ (B) 擴散電容主要出現在順偏時少數載子的儲存效應。
❌ (C) 耦合電容是電路外加的元件，非接面本身的電容。
❌ (D) 旁路電容同樣是外加元件。
📚 出處：pn 接面；空乏電容與擴散電容。
3圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 2 mA/V2，若電晶體在飽和區工作，則電壓 VD 的最小值為若干 V？
1. (A) 1
2. (B) 2 4V
3. (C) 3
4. (D) 4 2MΩ RDVD2MΩ1kΩ
正解：(A)
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✅ (A) 閘極由 2MΩ、2MΩ 分壓：VG = 4 × 2M/(2M+2M) = 2 V。飽和區條件為 VDS ≥ VGS − Vt，即 VD − VS ≥ (VG − VS) − Vt，兩邊的 VS 相消得 VD ≥ VG − Vt = 2 − 1 = 1 V，故 VD 最小值為 1 V（源極電阻 1kΩ 上的壓降會自動抵消，不影響此臨界值）。
❌ (B) 2 V 雖仍落在飽和區，但不是能維持飽和的最小值。
❌ (C) 3 V 同理偏大，並非臨界點。
❌ (D) 4 V 等於電源電壓，代表 RD 上無壓降（無電流），與電晶體導通的前提矛盾。
📚 出處：MOSFET 直流偏壓；分壓偏壓電路與飽和區條件 VDS ≥ VGS − Vt。
4圖示電路中場效電晶體（FET）之 Vt = −0.7 V，下列電壓何者可使電晶體工作在三極管區（TriodeRegion）？
1. (A) VG = 1 V、VD = 1 V
2. (B) VG = 2 V、VD = 3 V +4V
3. (C) VG = 3 V、VD = 2 V
4. (D) VG = 4 V、VD = 5 VVGVD
正解：(B)
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5有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為 V3=1002×V2−998×V1，請問其共模排斥比 CMRR（common-mode rejection ratio）約為多少？
1. (A) 24 dBVCC
2. (B) 36 dB
3. (C) 48 dBV1
4. (D) 60 dB− V3V2-VEE
正解：(C)
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6如圖為定電流源電路，若 Q1和 Q2電晶體的輸出阻抗 ro 和電流增益 β 所引起的效應不計，已知 VCC = 5 V，VBE = 0.7 V，欲使電流為 Io = 1mA，試求電阻 R =？
1. (A) 5.7 kΩ 5V
2. (B) 4.7 kΩ
3. (C) 4.3 kΩR
4. (D) 3.3 kΩIo=1mAQ1 Q2
正解：(C)
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7設計類比電路時，若採用 NPN 或 PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形最常使用到 BJT 的那一種偏壓模式？
1. (A) 飽和模式（Saturation mode）
2. (B) 線性模式（Linear mode）
3. (C) 順向主動模式（Forward active mode）
4. (D) 逆向主動模式（Reverse active mode）
正解：(C)
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8有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 VI 1、VI 2的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益 βQ1 =βQ2 = 100。試研判輸出接腳 VO 在高準位輸出（VO@HI）時最可能的工作電壓。
1. (A) VO@HI= 5 V VCC
2. (B) VO@HI~ 4.8 V
3. (C) 4.8 V> VO@HI> 4.3 V
4. (D) VO@HI< 4.3 VQ2VI1 R2R4 VOCLQ1VI2 R1R35V~2V 0V~4VVI10 t1 T t2 tVI2 ~2V ~4V 5V0V0 t1 T t2 t
正解：(D)
9CMOS 反相器結構係由一個 n 通道增強型 MOSFET 與一個 p 通道增強型 MOSFET 組成，p 通道MOSFET 之源極接 VDD，n 通道 MOSFET 之源極接地。下列何者正確？
1. (A) 若閘極輸入電位為0，p 通道 MOSFET 導通
2. (B) 若閘極輸入電位為 VDD，輸出電位將為 VDD/2
3. (C) 若 CMOS 輸出電位為0，n 通道 MOSFET 關閉
4. (D) 若 CMOS 輸出電位為 VDD，將有電流持續通過兩個 MOSFET
正解：(A)
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10如圖所示為一 CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。兩個電晶體QN 與 QP 特性相同；μnCox = μpCox = 20 μA/V2，(W/L)n = (W/L)p= 10，Vtn = |Vtp| = 0.5 V。若 VDD = 5 V，則電晶體 QN 的汲極直流偏壓電流為多少？
1. (A) 100 μA VDD
2. (B) 200 μA
3. (C) 400 μAQP
4. (D) 1.6 mAC=∞ C=∞vi 1MΩ voQN
正解：(C)
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11一個 OP AMP 的輸出的上下限為±10 V，迴轉率（slew rate）為1 V/μs，單增益頻寬 ft = 1 MHz。若輸出訊號為正弦波，其振幅為10 V，所能操作的最大頻寬最接近下列何值？
1. (A) 16 kHz
2. (B) 100 kHz
3. (C) 160 kHz
4. (D) 1 MHz
正解：(A)
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12下列有關雙極性電晶體（BJT）共集極（CC）組態放大器的敘述，何者正確？
1. (A) 電壓增益大於1
2. (B) 電流增益大於1
3. (C) 低輸入電阻
4. (D) 高輸出電阻
正解：(B)
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13如圖所示為一箝位電路，若 VE 為35 V 時，整個迴路的電流 I 是多少？
1. (A) 3.5 mA R
2. (B) 5 mA
3. (C) 10 mA I 2.5kΩVE VZ =10V
4. (D) 35 mA P (max)=500mW35V D
正解：(C)
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14圖示為箝位電路及其輸入信號，其中 D 為理想二極體且 RC 時間常數遠大於輸入信號之週期，決定輸出信號的直流準位為多少伏特？
1. (A) −15 Vvi(t)
2. (B) −5 V
3. (C) 5 V 10 C D
4. (D) 15 V t vi(t) R vo(t)-10 5V
正解：(D)
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15電容器及理想二極體所構成之倍壓電路如圖，輸入信號 vi(t) = Vpsin(377t) volt 且電容器 C3於穩定狀態時所跨電壓 VC3 = 30 volt，下列敘述何者正確？
1. (A) VC1=30 V VC210：1
2. (B) VC2=60 V
3. (C) VC4=90 V C2 D3
4. (D) Vp=150 V v i(t) D2 C3 VC3D1 C4 VC4C1 D4VC1
正解：(D)
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16如圖所示的兩不同截波電路中，二極體均視為理想且輸入信號均為 vi(t) = 8sin(ωt) volt，VR = 2 volt，則輸出 vo1最大值與輸出 vo2最小值之間的電壓差為多少伏特？
1. (A) 4 V
2. (B) 6 V
3. (C) 10 V D V
4. (D) 12 V VR D Rvi(t) R vo1(t) vi(t) vo2(t)R
正解：(A)
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17如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？
1. (A) 11.6 V
2. (B) 21.6 V N1：N2=110：24
3. (C) 24.6 V
4. (D) 110 V voutAC110Vrms60Hz
正解：(B)
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18如圖所示電路之主要功能為何？
1. (A) 運算 D1
2. (B) 放大
3. (C) 整流+
4. (D) 倍壓Vin C1 RL Vout−
正解：(C)
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19如圖所示之電路，VIN 為一正弦波（DC 值為0 V，振幅= 10 V），假設 RL= 1 kΩ，求 VOUT 為何？
1. (A) 10 V
2. (B) 20 VD1 D2
3. (C) 30 V
4. (D) 40 V VVIN + + OUT −−RLC2 C1
正解：(B)
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20如圖所示之電路，最高與最低輸出電壓各為何？假設 D1與 D2為理想且 Vin = 5 V（峰值），R1 = 1 kΩ，VB1= 1 V，VB2= 1.5 V。
1. (A) 正6 V 與負6.5 V R1
2. (B) 正1 V 與負1.5 V Vin
3. (C) 正4 V 與負3.5 V 5VVin D1 D2 Vout
4. (D) 正6 V 與負3.5 V t VB1 VB2
正解：(B)
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21利用「橋式整流電路」做交流全波整流，其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號 Vs 峰值大小：
1. (A) 大一個二極體順向啟動電壓
2. (B) 大兩個二極體順向啟動電壓
3. (C) 小一個二極體順向啟動電壓
4. (D) 小兩個二極體順向啟動電壓
正解：(D)
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22Vs(t)= 10 sin(377t ) V 的小訊號交流電源經過橋式整流電路後，其輸出漣波頻率約為：
1. (A) 30 Hz
2. (B) 60 Hz
3. (C) 120 Hz
4. (D) 377 Hz
正解：(C)
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23電路上某 npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在截止區（Cutoff），已知電路之電源電壓 VCC = 10 V，下列何者正確？
1. (A) VCE = 0 V
2. (B) VCE = 0.7 V VCC =10V
3. (C) VCE = 8 V
4. (D) VCE = 10 V R CVCEVBERE
正解：(D)
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24如圖所示之放大器電路，假設其直流偏壓電流 IDS =0.5 mA（直流偏壓電路未示於圖中），電晶體 M 之參數如下：μnCox= 200 μA/V2，VTH = 0.4 V，且 λ = 0；求此放大器電路之小信號電壓增益之值為何？
1. (A) −9.43
2. (B) −11.43 VDD =1.8V
3. (C) −13.43
4. (D) −15.432kΩ voutIDSW 20vin M =L 0.18
正解：(A)
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25如圖所示之電路，假設電晶體之參數如下：μnCoxW/L = 2 mA/V2，VTH = 1 V 且 λ = 0；跨在電晶體上之直流電壓 VDS 最接近下列何值？
1. (A) −4.95 V
2. (B) −5.75V VDS
3. (C) 4.95 V vi vout
4. (D) 5.75 V10kΩ 5kΩ 4kΩ−5V +5V
正解：(C)
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26如圖所示之電路，假設電晶體 M1之參數如下：μnCoxW1 /L1 = 32 mA/V2，VTH1 = 2 V 且 λ1 = 0；電晶體M2之參數如下：μnCoxW2 /L2 = 8 mA/V2，VTH2 = 2 V 且 λ2 = 0；求 VDS1之值為何？
1. (A) 2 VVDD =8V
2. (B) 4 V
3. (C) 6 V
4. (D) 8 VM2VG1=3V M1
正解：(B)
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27如圖所示之放大器電路，電晶體 J 之參數如下：IDSS = 8 mA，VP = −4 V，求此電路之小信號電壓增益值為何？
1. (A) 0.67 +10V
2. (B) 0.77
3. (C) 0.87
4. (D) 0.971MΩvi Jvo250kΩ2kΩ 2kΩ
正解：(A)
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28如圖所示具有射極電阻之共射極放大器，其輸入電阻 RIN 約為何？假設電晶體之 gm 為10 mA/V，β = 100。
1. (A) 10 kΩ
2. (B) 20 kΩ
3. (C) 30 kΩ
4. (D) 40 kΩ100ΩRIN
正解：(B)
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29如圖所示之小訊號模型為一共源極放大器，其等效輸入電容 CIN 為何？
1. (A) CGD + CGS (1+|gmRL|)CGD
2. (B) CGD + CGS (1−|gmRL|)vi vo
3. (C) CGS + CGD (1+|gmRL|) +
4. (D) CGS + CGD (1−|gmRL|) vGS CGS gmvGSCIN − RL
正解：(C)
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30MOSFET 操作於三極管區（triode region），且汲極與源極跨壓微小時，可等效成下列何種元件？
1. (A) 電壓控制之可變電阻
2. (B) 電壓控制之可變電容
3. (C) 電流控制之可變電阻
4. (D) 電流控制之可變電容
正解：(A)
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31設雙極性電晶體（BJT）的 α 值由0.96變化至0.99，則 β 值由多少變為多少？
1. (A) 由24變為90
2. (B) 由24變為99
3. (C) 由25變為75
4. (D) 由30變為60
正解：(B)
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32某雙極性電晶體（BJT）的 ICBO 為2 μA，其 β 值為50，則其 ICEO 應為：
1. (A) 50 μA
2. (B) 70 μA
3. (C) 100 μA
4. (D) 120 μA
正解：(C)
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33如圖所示的相移振盪電路中的 C = 1 nF、Rf = 145 kΩ，決定該電路發生等幅振盪時之正弦波頻率約為多少 Hz？
1. (A) 13 kHz Rf
2. (B) 21 kHz C C C R
3. (C) 50 kHz
4. (D) 62 kHzR VfR VO
正解：(A)
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34圖示電路為 CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？
1. (A) Q1與 Q2是 AB 類功率放大器+VDD
2. (B) Q3與 Q4提供主動負載
3. (C) Q5為共閘極放大器Q6 Q7 Q8
4. (D) Q6與 Q8提供保護電路vi− vi+ voQ1 Q2C1IREFQ3 Q4 Q5−VSSVo (s) 500
正解：(B)
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35某電路之轉移函數： T (s) = = ，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency），頻Vi (s) s +10率與增益的變化關係，下列何者正確？
1. (A) 頻率每增大十倍，增益減少10 dB
2. (B) 頻率每增大十倍，增益減少20 dB
3. (C) 頻率每增大二倍，增益減少10 dB
4. (D) 頻率每增大二倍，增益減少20 dB
正解：(B)
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36如圖所示為一個由五個反相器所構成的環形振盪器（ring oscillator）。若每一個反相器的延遲時間為50 ns，問環形振盪器的振盪頻率？
1. (A) 318 kHz
2. (B) 2 MHz
3. (C) 4 MHz
4. (D) 10 MHz
正解：(B)
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37如圖為 RC 耦合串級放大器電路的典型接法，試問 RC 耦合會造成什麼影響？
1. (A) 低頻響應變差 C
2. (B) 中頻響應變差放大器放大器
3. (C) 高頻響應變差
4. (D) 沒有影響 R
正解：(A)
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38如圖所示為一 MOS 放大器，MOS 電晶體之 μnCox = 800 μA/V2、W/L =40、|Vt|=1 V。求小信號增益 vo/vi？
1. (A) −1+5V
2. (B) −8
3. (C) −16
4. (D) −100 1kΩC=∞voC=∞vi QC=∞1MΩ1mA−5V
正解：(B)
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39對於一個電壓波形 v(t) = 50 sin(2πft)伏特，f = 60 Hz。下列何者正確？
1. (A) 電壓平均值為25伏特
2. (B) 電壓均方根值為50伏特
3. (C) 電壓的峰對峰值（peak to peak value）為50伏特
4. (D) 電壓訊號每秒有120次經過0伏特
正解：(D)
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40如圖電路，已知 R = 10 kΩ 和 C = 0.01 μF，輸入為±5 V 對稱方波，為使輸出三角波電壓具對稱且振幅亦為±5 V，則信號頻率應選在多少？
1. (A) 1.00 kHz R vC
2. (B) 1.25 kHzC
3. (C) 2.50 kHz +VCC
4. (D) 5.00 kHz vIvovI−VCCtt1 2t1
正解：(C)
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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。

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