地方特考　108 年 五等 電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 40 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1. 1某 FET 工作在飽和區（Saturation Region），其|iD|-vGS 關係如圖所示，|iD|是汲極電流之大小，則此 FET 為：|iD|vGS0 Vt

   

   1. (A) 增強型 NMOS
   2. (B) 增強型 PMOS
   3. (C) 空乏型 NMOS
   4. (D) 空乏型 PMOS

   正解：(D)

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   ✅ (D) 圖中 vGS＝0 時 |iD| 已有相當大的電流，須把 vGS 往正方向加到 Vt（Vt＞0）電流才降為零；「零偏壓就有通道」是空乏型的特徵，而導通條件為 vGS＜Vt（往負向走電流變大）則是 P 通道的特徵，故為空乏型 PMOS。

   ❌ (A) 增強型 NMOS 的 Vt＞0 且 vGS＜Vt 時截止，曲線應是 vGS 超過 Vt 後才由零往上升，與圖中遞減相反。

   ❌ (B) 增強型 PMOS 的 Vt＜0，臨界點應落在原點左側，且 vGS＝0 時無電流，與圖不符。

   ❌ (C) 空乏型 NMOS 的 Vt＜0，vGS 愈正電流愈大，曲線應遞增且截止點在原點左側。

   📚 出處：MOSFET 的種類與轉移特性曲線（增強型／空乏型、N 通道／P 通道的 Vt 極性判別）。

2. 2下列有關矽 PN 接面二極體的敘述，何者正確？

   1. (A) 二極體為順偏且固定電壓時，電流會隨溫度上升而上升
   2. (B) 二極體為順偏且固定電流時，電壓會隨溫度上升而上升
   3. (C) 二極體逆偏崩潰電壓若大於 20 V，崩潰電壓之溫度係數為負值
   4. (D) 二極體的飽和電流之溫度係數為負值

   正解：(A)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (A) 順偏且電壓固定時，溫度上升使飽和電流增大、導通壓降下降，電流隨之上升。

   ❌ (B) 順偏且電流固定時，壓降約以 −2 mV/°C 隨溫度下降。

   ❌ (C) 崩潰電壓大於約 6 V 者屬累增崩潰，溫度係數為正值。

   ❌ (D) 飽和電流隨溫度上升而增大，溫度係數為正值。

   📚 出處：PN 接面二極體的溫度特性。

3. 3一個電壓 v 對時間 t 的函數為 v(t) = 20 + 5 sin(2πft) V，f=60 Hz。求其 AC 信號的均方根值（root meansquare value）：

   1. (A) 3.54 伏特
   2. (B) 5 伏特
   3. (C) 7.07 伏特
   4. (D) 20 伏特

   正解：(A)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (A) 交流成分振幅為 5 V，其均方根值 = 5/√2 ≈ 3.54 V（直流 20 V 不計入交流有效值）。

   ❌ (B) 5 V 為振幅（峰值）。

   ❌ (C) 7.07 V 為振幅 10 V 時的有效值。

   ❌ (D) 20 V 為直流成分。

   📚 出處：交流訊號的均方根值。

4. 4如圖所示為一 CMOS 反相器，在輸入端與輸出端之間接上 1 MΩ 之電阻作為放大器之用。若電晶體QN 之小信號轉導 gm = 1 mA/V，ro = 30 kΩ；而電晶體 QP 之小信號轉導 gm = 0.5 mA/V，ro = 20 kΩ，求小信號增益 vo/vi（選最接近之值）。VDDQPC=∞ C=∞vi 1MΩ voQN

   1. (A) -10
   2. (B) -18
   3. (C) -30
   4. (D) -75

   正解：(B)

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5. 5如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求 vi/i。3RRi voRvi 2R

   

   1. (A) R/2
   2. (B) 3R/2
   3. (C) 2R
   4. (D) 3R

   正解：(B)

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6. 6如圖，CMOS 場效電晶體的輸入端 vI 接地時，其輸出端 vo 是處於下列何種狀態？VDDQPvIvoQN

   1. (A) 拉上（pull-up）至 VDD
   2. (B) 拉下（pull-down）至地
   3. (C) VDD/2
   4. (D) QP 與 QN 皆關閉，輸出浮接

   正解：(A)

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7. 7有一個時間常數為 1 ns，電容值為 100 fF 的 RC 低通濾波器，設其驅動電壓是一個振幅 10 V，寬（duration）5 ns 的方形波。設此電路在方形波注入前後均無其他輸入信號，則此濾波器之電阻值為何？

   1. (A) 無窮大
   2. (B) 10 kΩ
   3. (C) 1 kΩ
   4. (D) 100 Ω

   正解：(B)

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8. 8在印刷電路板上的數位 IC，其電源接腳旁經常有一顆 0.1 μF 的電容器，其作用是下列那一項功能？

   1. (A) 增加電流量
   2. (B) 消除電源線中的雜訊干擾
   3. (C) 提高工作速度
   4. (D) 減少功率消耗

   正解：(B)

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9. 9有一放大器電路如圖所示，放大器 U1 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之間，二極體 D1、D2 順向電壓均為 VD＝0.7 V，電阻 R1、R2、R3 均為 1 kΩ，電源 VI＝ -5 V，試問兩個二極體導通的狀態為何？R2A R1 D2 D D1BVI CU1R3

   

   1. (A) 二極體 D1、D2 均導通
   2. (B) 二極體 D1、D2 均不導通
   3. (C) 二極體 D1 導通、二極體 D2 不導通
   4. (D) 二極體 D1 不導通、二極體 D2 導通

   正解：(C)

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10. 10如圖所示之電路，運算放大器為理想，求此電路之輸入阻抗值為何？5kΩZi2.5kΩVin Vout

    1. (A) 2.5 kΩ
    2. (B) 5 kΩ
    3. (C) 7.5 kΩ
    4. (D) 10 kΩ

    正解：(A)

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11. 11如圖所示之放大器電路，其中二極體及運算放大器均為理想。此電路之電壓轉移特性圖為下列何者？VoutVinRLVout Vout Vout Vout

    

    1. (A) Vin
    2. (B) Vin
    3. (C) Vin
    4. (D) Vin

    正解：(A)

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12. 12有一差動放大器，其一端輸入 Vi1 ＝100 μV，另一端輸入 Vi2 ＝50 μV，且此放大器之 Acm 為 20，而共模拒斥比（CMRR）為 10，則其輸出電壓為何？

    1. (A) 9.5 mV
    2. (B) 11.5 mV
    3. (C) 13.5 mV
    4. (D) 15.5 mV

    正解：(B)

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13. 13圖示的二極體-電容器倍壓電路於穩定狀態時電容器 C1 所跨電壓 VC1=10 V，下列有關 VC2，D1 及 D2之峰值逆向電壓 PIV1 與 PIV2 的敘述何者錯誤？N1：N2 PIV1D1C1 VC1C2 VC2D2PIV2

    

    1. (A) VC2=10 V
    2. (B) PIV1=20 V
    3. (C) PIV2=20 V
    4. (D) VC2+PIV2=40 V

    正解：(D)

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14. 14橋式整流-電容濾波電路（二極體為理想且 RC 時間常數遠大於輸入信號週期）中之漣波因素為1.414%，若負載電阻 R 改變為原先的 1.414 倍且漣波因素為 1%時，電容值 C 需為原先的多少倍？

    1. (A) 0.707 倍
    2. (B) 1 倍
    3. (C) 1.414 倍
    4. (D) 2.828 倍

    正解：(B)

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15. 15如下圖所示，若稽納二極體（Zener diode）的 VZ＝10 V，輸入電壓 Vi 為多少才可使此稽納二極體箝位電路正常工作？R110kΩR2Vi VZ 20kΩ VO

    1. (A) 16 V
    2. (B) 14 V
    3. (C) 12 V
    4. (D) 10 V

    正解：(A)

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16. 16「橋式整流電路」中二極體之反向峰值電壓（PIV）值大約是「變壓器中間抽頭式整流電路」中二極體的：

    1. (A) 兩倍
    2. (B) 一樣大
    3. (C) 一半
    4. (D) 四分之一

    正解：(C)

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17. 17下圖為一整流器，若各二極體之導通電壓皆為 0 V，導通電阻皆為 0 Ω，輸入信號為弦波，vs (t)= 5 sin (10πt) V，若輸出漣波電壓< 0.1 V，C=100 μF，則電阻 R 之最小值為何？D4 D1vsD2 D3vo－ +RC

    1. (A) 50 kΩ
    2. (B) 500 kΩ
    3. (C) 5 M Ω
    4. (D) 50 MΩ

    正解：(A)

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18. 18下圖中二極體 D1 與 D2 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω，稽納二極體 Z1 及 Z2 之導通電壓皆為 0.7 V，崩潰電壓皆為 5 V，導通電阻為 0 Ω。輸入信號為弦波，vi (t)= 10 sin 10t V，下列敘述何者正確？100Ω+D1 D2vi voZ1 Z2－

    1. (A) vo(t)之振幅為 10 V
    2. (B) vo(t)之振幅為 5.7 V
    3. (C) vo(t)之振幅為 4.3 V
    4. (D) vo(t)之振幅為 0.7 V

    正解：(B)

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19. 19理想箝位電路及其輸入信號 vi(t)如圖，則該二極體 D 承受的最大逆向電壓 PIV 約為多少伏特（V）？vi(t)6 CDvi(t) R vo(t)t2V-4

    1. (A) 6
    2. (B) 8
    3. (C) 10
    4. (D) 12

    正解：(C)

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20. 20圖示由理想二極體構成電路，若電阻 R 為 1 kΩ，則電流 I 為多少毫安（mA）？+4 VvO+2 V+1 VIR

    

    1. (A) 7 mA
    2. (B) 4 mA
    3. (C) 2 mA
    4. (D) 1 mA

    正解：(B)

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21. 21雙極性電晶體（BJT）共基極電流增益 α 與共射極電流增益 β，兩者之關係為：

    1. (A) β=α/(α-1)
    2. (B) β= (α-1)/α
    3. (C) β=α/(1-α)
    4. (D) β=α/(1+α)

    正解：(C)

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22. 22如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 VD=0.7 V。已知電壓 vs(t)為方波，波形如下右圖所示、C=47 μF、VDC=3 V、R 為無窮大，在穩態時，輸出 vO 電壓的最大負值約為多少？vOvS C iDD 10ms 12VRVDC vSvD tVD 8ms 0V

    1. (A) -3.7 V
    2. (B) -4.3 V
    3. (C) -6.3 V
    4. (D) -8.3 V

    正解：(D)

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23. 23請問如圖所示放大器之集極電流 IC 為何？假設電晶體之電流增益 β 為 100，基極與射極導通壓降為0.7 V。1.0VIC10kΩβ=100

    1. (A) 0.3 mA
    2. (B) 3 mA
    3. (C) 0.7 mA
    4. (D) 7 mA

    正解：(B)

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24. 24若將雙極性電晶體（BJT）的集極與射極對調使用，則下列何者正確？

    1. (A) 耐壓提高，增益降低
    2. (B) 耐壓不變，增益降低
    3. (C) 耐壓降低，增益不變
    4. (D) 耐壓降低，增益亦降低

    正解：(D)

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25. 25圖中電晶體 M1 之 μnCox(W/L)=0.5 mA/V2，臨界電壓 VT =0.8 V，若忽略通道調變效應且 M1 維持操作在飽和區，Vo= 4V，則 R 值為何？5V1kΩVoM1R

    1. (A) 1 kΩ
    2. (B) 1.8 kΩ
    3. (C) 2.2 kΩ
    4. (D) 4 kΩ

    正解：(C)

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26. 26圖中電晶體 M1 之 μnCox(W/L)1= 0.5 [ μnCox(W/L)2]= 0.5 mA/V2，臨界電壓 VT=0.8 V，若忽略通道調變效應，則 Vo =？5V1mA 100ΩVoM1 M2

    1. (A) 4.9 V
    2. (B) 4.8 V
    3. (C) 2.8 V
    4. (D) 0.1 V

    正解：(B)

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27. 27圖中電晶體 M1 操作在飽和區，輸出阻抗 ro= 10 kΩ，轉導值 gm=10 mA/V，電流源 I 為理想，則| vo / vs | =？VDDI1kΩ+C=∞voM1 －vs

    

    1. (A) 100
    2. (B) 10
    3. (C) 90/11
    4. (D) 5

    正解：(C)

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28. 28將圖示放大電路的電晶體輸入特性以定壓降 0.5 V 模型化後，如果想要得到 5 V 的輸出直流工作點，該電阻 RB 約為多少？已知 RC = 1 kΩ。10VIB(μA)ICQ RCRB2Vβ=50IBQ0.5 VBE(V)

    1. (A) 1.5 kΩ
    2. (B) 10 kΩ
    3. (C) 15 kΩ
    4. (D) 40 kΩ

    正解：(C)

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29. 29圖示之增強型 MOSFET 放大器中，MOSFET 的輸出直流偏壓 VDSQ 等於多少？電晶體的臨界電壓Vth= 1 V 且 μnCox(W/L) =2 mA/V2。12V6MΩ 1.5kΩVDSQ2MΩ

    1. (A) 8 V
    2. (B) 6 V
    3. (C) 5 V
    4. (D) 4 V

    正解：(B)

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30. 30增強型 MOSFET 分壓式偏壓共閘極放大器中，MOSFET 的 μnCox(W/L) = 4 mA/V2，電阻值 R1 = 800 kΩ、R2 = 400 kΩ、R3 = 1.5 kΩ 及 R4 = 3 kΩ，測得流經電阻 R3 的直流偏壓電流為 2 mA 及輸出弦波信號振幅 3 V，求輸入小信號之振幅約為多少？其中，該放大器之偏壓電路等可提供該 MOSFET 正確的放大工作區。VDDR1 R3CD voCGR2 R4 CS vi

    1. (A) 0.03 V
    2. (B) 0.06 V
    3. (C) 0.25 V
    4. (D) 0.5 V

    正解：(D)

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31. 31圖示雙極性接面電晶體（BJT）電路，其中 IO 為輸出電流，電晶體 Q1 與 Q2 特性相同，此電路不能作為電流源的主要原因為何？VCCIREF IOR1 RORREFQ1 Q2

    1. (A) 阻抗 RO 太小
    2. (B) 阻抗 RREF 太大
    3. (C) 電流 IO 與 IREF 相差太大
    4. (D) Q1 不在主動區（Active Region）工作

    正解：(A)

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32. 32如圖為共集（CC）放大器（其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於主動模式（active mode），其小vo訊號參數 gm、re、rπ 均為已知，輸出電阻 ro→∞，電壓增益 Av ≡ 為：viVCCRsigviVsig + vo－RL

    1. (A) RL/(re + RL)
    2. (B) RL/(rπ+ RL)
    3. (C) RL/[(rπ + (β + 1) RL)]
    4. (D) RL/( β + 1)(re + RL)

    正解：(A)

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33. 33如圖所示為非反相施密特觸發電路，其 OPA 為理想並使用±10 V 的電源電壓，於 OPA 反相輸入端加一偏壓電源 VR =2 V，若此電路 vI 先輸入 10 V 一段時間後，vI 再改輸入為 0 V，則最終輸出電壓約為多少伏特（V）？VRvOvI1kΩ 2kΩ

    1. (A) -10 V
    2. (B) 0 V
    3. (C) 5 V
    4. (D) 10 V

    正解：(D)

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34. 34變壓器耦合串級放大電路中第 1、第 2 級放大電路具有相同的基極偏壓電流 IB1=IB2=10 μA，其中熱電壓 VT = 25 mV ， Q1 與 Q2 的 β 值 與 爾 利 電 壓 （ Early voltage ） 均 相 同 。 若 欲 使 電 壓 增 益Av1=vo1/vi1=Av2=vo2/vi2，求負載 RL 約為多少？VCC1 :8 vo1 4 :1 vo2 5 :1 voR1 R1vivi1 vi2 RLQ1 Q2R2 R2C1 RE C1C2 RE C2

    1. (A) 2 kΩ
    2. (B) 1.6 kΩ
    3. (C) 600 Ω
    4. (D) 200 Ω

    正解：(B)

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35. 35R1=R2 且 C1=C2 的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路如圖，當該電路發生等幅振盪時，若能測得 Vf 的振幅為 2 V 時，則輸出 vO 的有效值 vO,rms 約為多少伏特（V）？其中理想 OPA 的輸入電源為±12 V。RfRVOVfC2 R2C1 R1

    1. (A) 1.414 V
    2. (B) 2 V
    3. (C) 4.24 V
    4. (D) 8.48 V

    正解：(C)

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36. 36RC 串級放大電路於未耦合前的各單級放大電路示意圖含輸出/輸入電阻、電壓增益及負載如圖所示，忽略電容效應，求該串級放大電路的總電壓增益？vi vo1 vi2 vo2 voRL=8kΩRi1=1kΩ Ro1=3kΩ Ri2=1kΩ Ro2=2kΩ

    

    1. (A) 4000
    2. (B) 2000
    3. (C) 800
    4. (D) 400

    正解：(C)

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37. 37造成積體電路放大器在高頻的衰減，主要的原因為放大器內部的：

    1. (A) 電導
    2. (B) 電感
    3. (C) 電洞
    4. (D) 電容Vo ( s) 10

    正解：(D)

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38. 38某電路之轉移函數： T ( s) = = ，下列有關 T(s)之敘述，何者正確？Vi (s) s + 100

    1. (A) 低通響應
    2. (B) 直流增益為 0
    3. (C) 高頻增益為 10 dB
    4. (D) 增益為 10 dB 時的頻率為 100 rad/s

    正解：(A)

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39. 39圖示電路，當電路正常工作時，問電壓 v1 的波形為何？C R2R R1v1 v2

    1. (A) 弦波
    2. (B) 方波
    3. (C) 三角波
    4. (D) 階梯波

    正解：(C)

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40. 40如圖為一共射（CE）放大器電路，在一般情況下，此三個外加電容以及電晶體的內部極際電容（Cπ、Cμ）中，以何者對放大器的低頻響應影響最大？VCCRCCc2 voRsig Cc1RL+－ vsig RBCEI-VEE

    1. (A) Cc1
    2. (B) Cc2
    3. (C) CE
    4. (D) Cπ

    正解：(C)

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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。