地方特考　112 年五等電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 40 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

▶ 線上作答這一卷（40 題，建議 60 分鐘）

1可變電容二極體（Varactor）所調變的電容為下列何者？
1. (A) 擴散電容
2. (B) 空乏電容
3. (C) 雜散電容
4. (D) 順向電容
正解：(B)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (B) 可變電容二極體在逆向偏壓下工作，改變偏壓即改變空乏區寬度，調變的是「空乏（接面）電容」。
❌ (A) 擴散電容出現在順向偏壓時，由少數載子儲存效應造成。
❌ (C) 雜散電容來自封裝與佈線，不受偏壓調變。
❌ (D) 並無「順向電容」此一標準名稱。
📚 出處：電子學；變容二極體。
2下列何種半導體可做為藍光 LED 發光層的材料？
1. (A) GaAs
2. (B) AlN
3. (C) GaN
4. (D) GaP
正解：(C)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (C) 氮化鎵（GaN）能隙約 3.4 eV，是藍光發光二極體發光層的主要材料。
❌ (A) GaAs 能隙約 1.42 eV，用於紅外光與紅光。
❌ (B) AlN 能隙過大（約 6.2 eV），屬深紫外材料。
❌ (D) GaP 用於綠光與黃綠光。
📚 出處：半導體元件；LED 材料與能隙。
3一個發光二極體（LED）發光，需要 2 V 電壓及 10 mA 電流。LED 最高可承受的電壓為 2.6 V，和瞬間電流為 200 mA，超過此限度，LED 則會燒毀。此相同的三個 LED 並聯，電路如圖所示，要使 LED能發光，則最大限流電阻 R 應為下列何者？R11 V
1. (A) 15 Ω
2. (B) 280 Ω
3. (C) 300 Ω
4. (D) 350 Ω
正解：(C)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (C) 三顆 LED 並聯，總電流 3×10＝30 mA，限流電阻分壓 11－2＝9 V，R＝9÷0.03＝300 Ω；R 再大則電流不足以使 LED 正常發光。
❌ (A) 15 Ω 會使電流遠超過額定值。
❌ (B) 280 Ω 小於 300 Ω，非最大值。
❌ (D) 350 Ω 使電流低於 30 mA，發光不足。
📚 出處：電子學；LED 限流電阻設計。
4結構為 NPN 的雙極性接面電晶體（BJT）在作為共射極線性放大器使用時，下列敘述何者正確？
1. (A) 基極相對於射極之電壓為負
2. (B) 基極相對於射極之電壓為正
3. (C) 基極相對於集極之電壓為正
4. (D) 基極接地
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
5有關 NPN 雙極性接面電晶體之敘述，下列何者錯誤？
1. (A) 電晶體的基極有效寬度愈窄，則 β 值愈高
2. (B) 將電晶體射極、集極兩端對調使用，則 β 值會降低，這是因為集極濃度較射極低的緣故
3. (C) 電晶體在工作區時，爾利（Early）效應使 IC 隨 VCE 增加而減少
4. (D) 兩個背對背連接的二極體一定不能當電晶體使用
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
6如圖示 NPN 電晶體，VCC =7 V，VCE =3 V，此 NPN 電晶體工作於何區？VCCRCVCEVBE RE
1. (A) 順向主動區
2. (B) 逆向主動區
3. (C) 飽和區
4. (D) 截止區
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
7如圖所示 JFET 電路，臨界電壓為-1 V，下列何者可使電晶體工作於歐姆區？VDDVG GSVS
1. (A) VD =4.9 V，VG =3.2 V，VS =2.3 V
2. (B) VD =6.3 V，VG =3.2 V，VS =5.1 V
3. (C) VD =1.9 V，VG =3.2 V，VS =3.5 V
4. (D) VD =3.7 V，VG =3.2 V，VS =6.4 V
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
8有一 N 通道空乏型 MOSFET，其臨限電壓 VT =-2 V，汲極電壓 VD =2 V，源極電壓 VS =-1 V，則下列閘極電壓何者可使此 MOSFET 工作在飽和區？
1. (A) VG =-5 V
2. (B) VG =-2 V
3. (C) VG =5 V
4. (D) VG =2 V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
9一 MOSFET 操作於飽和區，於 VDS =3 V 時 ID =5 mA，且於 VDS =5 V 時 ID =5.5 mA，通道電阻為何？
1. (A) 0.04 kΩ
2. (B) 0.4 kΩ
3. (C) 4 kΩ
4. (D) 40 kΩ
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
10有關理想運算放大器，下列敘述何者錯誤？
1. (A) 輸入電阻為無窮大
2. (B) 輸入電流為零
3. (C) 開迴路電壓增益為無窮大
4. (D) 兩輸入端信號相等時，輸出電壓值大於輸入電壓值
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
11理想運算放大器組成的積分器輸入端應置放下列何者？
1. (A) 電阻
2. (B) 電容
3. (C) 二極體
4. (D) 分壓器
正解：(A)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
12如圖所示理想放大器電路，R1 =1 kΩ 且 R2 =4 kΩ，vI =2 V 時 v0 為何？R2D2R1vID1v0
1. (A) -0.7 V
2. (B) -8 V
3. (C) 0.7 V
4. (D) 8V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
13正弦波經半波整流後，波形的平均值電壓對峰值電壓大小的比值約為何？
1. (A) 15.9%
2. (B) 31.8%
3. (C) 63.7%
4. (D) 95.4%
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
14當 60 Hz 的正弦波電壓輸入全波整流器，則輸出頻率為何？
1. (A) 60 Hz
2. (B) 90 Hz
3. (C) 120 Hz
4. (D) 30 Hz
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
15有一稽納二極體（Zener Diode）在 25℃時，稽納電壓為 8.5 V，並具有正溫度係數為 0.05%/℃，在 80℃時的稽納電壓約為何？
1. (A) 8.3 V
2. (B) 8.7 V
3. (C) 9.3 V
4. (D) 0.7 V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
16如下圖所示，假設矽二極體 D1 及 D2 的導通壓降均為 0.7 V，且 V=10 V、R1 =2 kΩ、R2 =5 kΩ，I2 值為何？D1 R1V D2 I2R2
1. (A) 0.35 mA
2. (B) 1.37 mA
3. (C) 1.72 mA
4. (D) 2.1 mA
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
17圖為全波倍壓電路，當輸入（Vin）是 110 Vrms 之弦波，二極體視為理想，且 R、C1、C2 值夠大。輸出端電壓（Vo）約為何？D1VoC1Vin RRC2D2
1. (A) 220 V
2. (B) 330 V
3. (C) 311 V
4. (D) 155.54 V
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
18中心抽頭式變壓器之全波整流器如圖，輸入信號 Vs 為峰對峰值 240 V 之弦波，二極體視為理想。輸出電壓峰值為何？D1 VoC1VsD21000 μF 100 Ω4:1:1
1. (A) 60 V
2. (B) 30 V
3. (C) 25 V
4. (D) 20 V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
19如圖包含二極體（D1）與稽納二極體（D2）之截波電路，D1 與 D2 在順向導通時視為理想，此截波電路輸出信號最高電壓 V1 與最低電壓 V2 分別為何？R1Vo(t)1 kΩD1Vin=10 sinωt VD25V
1. (A) V1=10 V，V2=-5 V
2. (B) V1=10 V，V2=0 V
3. (C) V1=0 V，V2=-10 V
4. (D) V1=5 V，V2=-10 V
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
20如圖，如果輸入信號 Vin=10sin(ωt) V，二極體視為理想。下列何者為輸出電壓 Vo 的波形？D1Vo3V RVinA. B.0V 7V0V-7 VC. 7V D. 7V0V0V-7 V
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
21電路及輸入端的電壓波形如圖所示，令二極體的切入電壓為 0.7 V，若 RC 時間常數遠大於輸入信號的週期，負載電阻 R 的輸出電壓範圍為何？C+1 V0 R-1 V
1. (A) -0.7 V～+0.3 V
2. (B) -0.7 V～+1.3 V
3. (C) -1 V～+1 V
4. (D) -1.3 V～0.7 V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
22圖中電路的 VDD =8 V，RG =1 MΩ，RS =2 kΩ，RD =2 kΩ，接面場效電晶體的 IDSS =4 mA，汲極電流為1 mA，電晶體的 VGS(TH)為何？VDDRDRG RS
1. (A) -2 V
2. (B) -3 V
3. (C) -4 V
4. (D) -5 V
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
23下列何種電路又稱為直流再生器（DC restorer）？
1. (A) 積分器
2. (B) 整流器
3. (C) 箝位器
4. (D) 濾波器
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
24圖中電路電晶體操作在主動區，當電流 IC =1 mA 時，VBE =0.7 V。現使用固定電流源 2.72 mA 做偏壓，射極電壓 VE 的最接近值為何？VCCRCVE2.72 mAVEE
1. (A) -0.7 V
2. (B) -0.73 V
3. (C) -0.76 V
4. (D) -0.8 V
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
25有一如圖之 MOSFET 電路，若 Vtn =2 V，μnCox(W/L)=200 μA/V2，R=15 kΩ，λ=0，則 VD 應為何？+10 V15 kΩVDQ1
1. (A) 2V
2. (B) 3V
3. (C) 4V
4. (D) 5V
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
26圖示電路中加強型場效電晶體（FET）之|Vtp|=1 V、μpCox(W/L)=2 mA/V2，若電壓 VD 為-1 V，則電流 I約為何？+2 VVDI-2 V
1. (A) 16 mA
2. (B) 8 mA
3. (C) 4 mA
4. (D) 2 mA
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
27有關雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect），下列敘述何者錯誤？
1. (A) 當加大電壓 VCE 時，IC 電流會上升
2. (B) 當加大電壓 VCE 時，逆向偏壓 VCB 會減少
3. (C) 當加大電壓 VCE 時，基極有效寬度會變窄
4. (D) 爾利效應是描述在主動區（active region）操作時的電流變化
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
28有關共射極放大器之敘述，下列何者錯誤？
1. (A) 輸出電壓與輸入電壓反相
2. (B) 電壓增益大於 1
3. (C) 電流增益大於 1
4. (D) 高頻特性不受到米勒效應的影響
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
29如圖所示電路，假設 rπ =2 kΩ、RE =500 Ω、RB =100 kΩ，且 β 值為 100，電壓增益 vo/vi 最接近下列何者？+VCCRBviii voioREZi Zo
1. (A) 0.99
2. (B) 0.96
3. (C) 0.89
4. (D) 0.86
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
30相較於共集極（CC）放大器，下列有關共基極（CB）放大器之特性，何者正確？
1. (A) 輸入阻抗較大
2. (B) 電壓增益較大
3. (C) 輸出電壓與輸入電壓的相位相反
4. (D) 電壓增益近似為 1
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
31有關 MOSFET 共源極放大器電路之敘述，下列何者正確？
1. (A) 又稱為源極隨耦器
2. (B) 輸入阻抗為 0
3. (C) 輸出信號與輸入信號相位同相
4. (D) 電流增益大於 1
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
32圖示為電晶體放大器的小訊號交流等效電路，其中 vi 為輸入訊號、vo 為輸出訊號，則此放大器為何種放大器？vovi
1. (A) 共源極（CS）放大器
2. (B) 共汲極（CD）放大器
3. (C) 共基極（CB）放大器
4. (D) 共閘極（CG）放大器
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
33如圖 BJT 串疊電路中，Q1 和 Q2 的互導分別為 gm1 =gm2 =gm，輸出內阻分別為 ro1 =ro2 =ro，輸入內阻分別為 rπ1 =rπ2 =rπ，定電流源為 I。若 Ri =rπ1 =rπ，求電壓增益 Avo =vo/vi 近似為何？VCCIQ2vB2 Rovoro1Q1vi R =ri π1
1. (A) -(gm)2ro
2. (B) -(gm)2ro(ro//rπ)
3. (C) -gmro(ro//rπ)
4. (D) -gm(ro//rπ)
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
34圖示電路，VCC =+10 V，R1 =200 kΩ，R2 =200 kΩ，RC =2 kΩ，RE =5 kΩ，電晶體電流放大率 β=100，VBE =0.7 V，IC 約為何？VCCRCR1 ICR2RE
1. (A) 0.6 mA
2. (B) 0.7 mA
3. (C) 0.8 mA
4. (D) 0.9 mA
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
35在 IC 電路中直接耦合的串級放大器，在頻率響應上，對於下 3 dB 截止頻率 fL 和上 3 dB 截止頻率 fH的分布情況為何？
1. (A) 只有下 3 dB 截止頻率 fL
2. (B) 只有上 3 dB 截止頻率 fH
3. (C) 兩種頻率都有
4. (D) 兩種頻率都不存在
正解：(B)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
36欲使如下的振盪電路能夠產生振盪訊號，下列何者適合作為 R2 的大小？R25.6 kΩVO20 nF 10 kΩ10 kΩ20 nF
1. (A) 5.1 kΩ
2. (B) 5.6 kΩ
3. (C) 10 kΩ
4. (D) 12 kΩ
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
37如圖所示之振盪電路，其電路型態為下列何者？+VCCRC1 RB1 RB2 RC2vo1 vo2C1 C2Q1 Q2
1. (A) RC 相移振盪電路
2. (B) 單穩態多諧振盪電路
3. (C) 雙穩態多諧振盪電路
4. (D) 無穩態多諧振盪電路
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
38圖示為一加偏壓之非反相施密特觸發器，電路中 OPA 之輸出飽和電壓為±15 V，則其遲滯電壓（hysteresis voltage）VH 為何？50 kΩ 150 kΩVsVCCVoVR=+2 VVCC
1. (A) 3.75 V
2. (B) 5V
3. (C) 7.5 V
4. (D) 10 V
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
39如圖為一比較器電路和積分器電路的組合。假設比較器的正、負飽和輸出電壓有著相同的大小，使得圖中 Vout 為 8.25 kHz 的三角波。如欲調整 Vout 的頻率至 20 kHz，則可在其他零件保持不變的條件下將 R 從 10 kΩ 調整至下列何值？0.01 μFR=10 kΩVout33 kΩ10 kΩ
1. (A) 2.125 kΩ
2. (B) 3.125 kΩ
3. (C) 4.125 kΩ
4. (D) 5.125 kΩ
正解：(C)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。
40555 計時器的輸入有兩臨界準位 VTH =2 VCC/3 和 VTL=VCC/3 及一個放電用的電晶體 Q。作為單穩態電路時，外接電容 C 的一端會和 VTH 的 OPA 輸入(+)及電晶體 Q 共接。並連接一個電阻 R 到 VCC。當555 被觸發時，電容 C 會開始充電為 VC(t)=VCC(1-e-t/RC)，並同時在輸出產生脈波；當電容電壓 VC(t)觸及 VTH 時立即停止充電並放電，求所產生的脈波寬度 T 約為何？
1. (A) RC
2. (B) 0.69 RC
3. (C) 0.9 RC
4. (D) 1.1 RC
正解：(D)
本題附有逐題詳解，線上作答後即可看到。

▶ 線上作答這一卷

地方特考電子學大意其他年度

題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。

地方特考 112 年 五等 電子學大意 考古題與詳解

地方特考 電子學大意 其他年度

地方特考　112 年五等電子學大意　考古題與詳解

地方特考電子學大意其他年度